Invention Publication
- Patent Title: 冗余填充方法、装置、存储介质及电子设备
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Application No.: CN202310886424.1Application Date: 2023-07-18
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Publication No.: CN119358501APublication Date: 2025-01-24
- Inventor: 单立冬 , 郑环 , 仝海跃
- Applicant: 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 , 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
- Applicant Address: 北京市大兴区经济技术开发区文昌大道18号;
- Assignee: 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司,中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
- Current Assignee: 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司,中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
- Current Assignee Address: 北京市大兴区经济技术开发区文昌大道18号;
- Agency: 北京集佳知识产权代理有限公司
- Agent 张凤伟
- Main IPC: G06F30/392
- IPC: G06F30/392 ; H10D89/10 ; G06F30/27 ; G06N3/126

Abstract:
一种冗余填充方法、装置、存储介质及电子设备。所述方法包括:获取待填充的电路版图,所述电路版图包括若干版图图形,所述电路版图中所有版图图形具有第一平均反射率;基于所述第一平均反射率,利用遗传算法对预设冗余图形库中冗余图形单元进行筛选,得到可用于填充的冗余图形组合;其中,所述可用于填充的冗余图形组合,为所述预设冗余图形库中平均反射率最接近所述第一平均反射率的冗余图形单元的组合;利用所述可用于填充的冗余图形组合,对所述电路版图进行填充。采用上述方案,可以提高对图形负载效应的改善效果。
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