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公开(公告)号：CN118265299A
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202211681470.X
申请日：2022-12-27
Applicant: 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 , 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
Abstract: 一种半导体结构及其形成方法，结构包括：基底，所述基底包括第一区和位于相邻所述第一区之间的第二区；源漏掺杂层，位于所述第一区的基底中；栅极结构，位于所述第一区和第二区交界处的所述基底顶部；字线结构，位于所述第二区的基底顶部，所述字线结构覆盖所述栅极结构的部分侧壁；介电层，位于所述基底的顶部，且所述介电层覆盖所述栅极结构和字线结构；第一互连结构，位于所述字线结构的顶部且贯穿所述介电层，所述第一互连结构与所述字线结构电连接；第二互连结构，位于所述源漏掺杂层的顶部且贯穿所述介电层，所述第二互连结构与所述源漏掺杂层电连接。减少了第一字线结构的顶面受到损伤或者被完全去除的风险，从而提高半导体结构的性能。
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公开(公告)号：CN116013765A
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN202111230499.1
申请日：2021-10-22
Applicant: 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 , 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC: H01L21/02
Abstract: 本申请技术方案提供一种晶圆处理方法，包括：提供待处理晶圆并获取所述待处理晶圆上不同位置处的翘曲状况，且所述待处理晶圆包括背面，所述翘曲状况分为良好和不良；在所述待处理晶圆的背面形成应力调节层；刻蚀所述应力调节层，暴露所述待处理晶圆上翘曲状况为良好的位置。本申请技术方案的晶圆处理方法可以对晶圆衬底的翘曲度进行调整，从而实现晶圆翘曲的合理控制。
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公开(公告)号：CN119495584A
公开(公告)日：2025-02-21
申请号：CN202311030766.X
申请日：2023-08-15
Applicant: 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 , 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC: H01L21/66 , H01L21/268
Abstract: 一种半导体结构的形成方法，包括：提供晶圆，包括隔离区和器件区；形成位于器件区上的器件结构，所述器件结构包括第一层结构和位于第一层结构上的第二层结构；形成位于晶圆上的隔离结构，所述隔离结构位于隔离区上，以及位于器件区器件结构之外的区域上，所述器件结构位于所述隔离结构内；获取所述第二层结构和第一层结构是否发生电失效的情况；若所述第二层结构和第一层结构电失效，则获取所述第二层结构和第一层结构在第一方向上的偏移情况；根据所述第二层结构和第一层结构在第一方向上的偏移情况，对所述晶圆进行激光退火处理，使所述第二层结构和第一层结构恢复电连接。所述方法使得半导体结构的应力情况得到改善。
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公开(公告)号：CN119495583A
公开(公告)日：2025-02-21
申请号：CN202311028847.6
申请日：2023-08-15
Applicant: 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 , 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC: H01L21/66 , H01L21/265
Abstract: 一种半导体结构的形成方法，包括：提供晶圆，所述晶圆包括功能面和非功能面；在所述非功能面上形成第一应力膜层结构；对所述晶圆进行激光退火处理；对所述晶圆进行激光退火处理之后，获取晶圆的翘曲度，判断晶圆是否发生翘曲；若所述晶圆发生翘曲，获取晶圆的翘曲情况；根据所述晶圆的翘曲情况，对所述晶圆的非功能面进行离子注入，直至晶圆的翘曲度恢复正常状态。所述方法使得晶圆的翘曲度得到改善。
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公开(公告)号：CN118116911A
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN202211530102.5
申请日：2022-11-30
Applicant: 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 , 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC: H01L23/544 , H01L21/66 , H10B41/40 , G11C29/56
Abstract: 一种测试结构、晶圆结构及其形成方法和测试方法，所述测试结构中，所述第一测试插塞与所述测试浮栅层电连接，所述第二测试插塞贯穿所述介质层与所述第二区域的测试有源区电连接。因此通过所述第一测试插塞和所述第二测试插塞，能够分别实现对所述测试浮栅层和所述测试有源区的电连接，能够对所述测试浮栅层和所述测试有源区加载电压，从而通过所述测试氧化层实现对所述浮栅氧化层的可靠性测试。
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公开(公告)号：CN119447109A
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202310988544.2
申请日：2023-08-07
Applicant: 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 , 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC: H01L23/544 , H10B41/30 , G11C29/12
Abstract: 一种存储器的测试结构及其形成方法，方法包括：在存储区上形成初始存储栅结构，包括：位于第一区表面的浮栅结构、位于浮栅结构表面的控制栅结构以及位于第二区表面的字线栅结构，浮栅结构包括位于第一区表面的第一氧化层以及位于第一氧化层上的浮栅，字线栅结构包括位于第二区表面的第二氧化层以及位于第二氧化层上的字线栅；采用第一刻蚀工艺在初始存储栅结构内形成第一开口，第一开口暴露出字线栅结构的表面；采用第二刻蚀工艺去除字线栅，第二刻蚀工艺对字线栅材料的去除速率相比对第二氧化层材料的去除速率的差值大于第一阈值；去除字线栅后，去除第二氧化层，形成位于第一氧化层表面的存储栅结构，降低存储器的测试结构有源区损伤的可能性。
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公开(公告)号：CN117077606A
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN202210499986.6
申请日：2022-05-09
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 , 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
IPC: G06F30/392 , G06F115/12
Abstract: 一种版图及版图设计方法、系统、设备及存储介质，版图设计方法包括：形成第一版图，第一版图包括第一主图形，第一主图形用于形成第一目标结构，且沿特定方向，两侧具有不相等应力的第一目标结构所对应的第一主图形作为待补偿图形；基于第一版图形成第二版图，第二版图包括第二主图形，第二主图形用于形成位于第一目标结构顶部上方的第二目标结构，第二主图形相对于所在的第一主图形具有基准位置；其中，沿特定方向与待补偿图形相对应的第二主图形，在待补偿图形上的位置相对于基准位置偏移，且偏移方向与待补偿图形相对应的第一目标结构的形变方向相同，形变方向与第一目标结构两侧的应力差值相关。降低第二目标结构与第一目标结构不能对准概率。
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公开(公告)号：CN109427541A
公开(公告)日：2019-03-05
申请号：CN201710753428.7
申请日：2017-08-29
Applicant: 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 , 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
Inventor： 仝海跃
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明公开了一种半导体器件的形成方法，包括：提供衬底；对所述衬底进行退火，以消除所述衬底表面的污染物；在所述退火步骤后，形成位于所述衬底表面的抗反射层；形成位于所述抗反射层的光刻胶层。通过在形成抗反射层之前，对衬底进行了退火处理，消除了可能存在于所述衬底表面的污染物，最终提高了刻蚀衬底得到的图形的良率，更好的满足了客户要求。
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公开(公告)号：CN119446954A
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202310945278.5
申请日：2023-07-28
Applicant: 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 , 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/687 , H01L21/66
Abstract: 一种晶圆形变装置及电阻率控制方法，其中晶圆形变装置包括：基板；垂直于所述基板表面设置的若干针雕，各所述针雕的顶端位置可调，若干所述针雕顶端用于放置待处理晶圆；腔室，当所述待处理晶圆置于若干所述针雕顶端时，所述待处理晶圆和所述基板之间构成所述腔室，且使所述腔室形成密闭空间；真空装置，所述真空装置用于抽取所述腔室内的空气，以使所述待处理晶圆发生形变，且使所述待处理晶圆表面与对应位置的各所述针雕的顶端相贴合，通过使待处理晶圆发生形变的方式，达到控制电阻率的效果，避免了掺杂剂注入方式中因掺杂剂过量带来的负面效应。
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公开(公告)号：CN119358501A
公开(公告)日：2025-01-24
申请号：CN202310886424.1
申请日：2023-07-18
Applicant: 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 , 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC: G06F30/392 , H10D89/10 , G06F30/27 , G06N3/126
Abstract: 一种冗余填充方法、装置、存储介质及电子设备。所述方法包括：获取待填充的电路版图，所述电路版图包括若干版图图形，所述电路版图中所有版图图形具有第一平均反射率；基于所述第一平均反射率，利用遗传算法对预设冗余图形库中冗余图形单元进行筛选，得到可用于填充的冗余图形组合；其中，所述可用于填充的冗余图形组合，为所述预设冗余图形库中平均反射率最接近所述第一平均反射率的冗余图形单元的组合；利用所述可用于填充的冗余图形组合，对所述电路版图进行填充。采用上述方案，可以提高对图形负载效应的改善效果。
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