本发明属于紫外光电探测技术领域，涉及一种自支撑SiC/SnO2异质结纳米阵列及其制备方法和在紫外线光电探测器中的应用。本发明的自支撑SiC/SnO2异质结纳米阵列采用了阳极氧化法和化学浴沉积法进行制备，这种方法不仅工艺简便，而且成本低廉，为大规模生产提供了可行性。本发明SiC/SnO2异质结纳米阵列对200‑400纳米波长范围内的紫外线具有高效的吸收能力，尤其在260纳米波长处达到了光能转换效率的最大化，这意味着该材料能够有效地捕捉并转换紫外光，为高性能紫外光电探测器提供了坚实的基础。