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公开(公告)号：CN118089936A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202410097607.X
申请日：2024-01-24
Applicant: 宁波工程学院
IPC: G01J1/48
Abstract: 本发明涉及一种宽pH范围的4H‑SiC光电化学型紫外光电探测器及其制备方法，属于光电探测技术领域。本发明公开了一种宽pH范围的4H‑SiC光电化学型紫外光电探测器，其包括自支撑电极，所述自支撑电极包括单晶集成自支撑SiC纳米孔阵列、阵列底部未蚀刻的单晶层；在施加偏置电压、紫外光作用时，所述4H‑SiC光电化学型紫外光电探测器的光电流随电解液pH的增加而增大；在无偏置电压，施加紫外光时，所述4H‑SiC光电化学型紫外光电探测器的光电流随电解液pH的增加而增大。本发明还公开了一种宽pH范围的4H‑SiC光电化学型紫外光电探测器的制备方法。本发明的宽pH范围的4H‑SiC光电化学型紫外光电探测器在酸性、中性和碱性条件下都具有稳定的光响应，并且对溶液浓度有高灵敏度。
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公开(公告)号：CN115020114A
公开(公告)日：2022-09-06
申请号：CN202210605950.1
申请日：2022-05-31
Applicant: 宁波工程学院 , 江苏尚今光电科技有限公司
Abstract: 本发明涉及一种核壳结构的SiC@C纳米线准阵列及其制备方法与应用，属于纳米材料技术领域。本发明公开了一种核壳结构的SiC@C纳米线准阵列，所述SiC@C纳米线准阵列中SiC的相组成为3C‑SiC，壳层的C为PEDOT层经冷冻干燥、碳化后的掺杂硫元素的碳材料。本发明还公开了一种核壳结构的SiC@C纳米线准阵列的制备方法，所述的制备方法包括：将预处理后的碳布覆盖在盛有聚硅氮烷、三聚氰胺粉末的坩埚口，在高温气氛炉中加热，冷却后得沉积SiC准阵列的碳布；将沉积SiC纳米线的碳布置于反应真空室，将汽态的EDOT诱导进入反应真空室，汽态的FeCl3引入反应真空室后沉积得SiC@PEDOT纳米线准阵列，清洗后经冷冻干燥、碳化得硫掺杂的SiC@C纳米线复合材料。
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公开(公告)号：CN112614699B
公开(公告)日：2022-06-17
申请号：CN202011209525.8
申请日：2020-11-03
Applicant: 宁波工程学院 , 江苏尚今光电科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种锯齿状氮掺杂SiC纳米线基高温超级电容器，所述超级电容器包括正负电极、隔膜和电解液，并将生长有锯齿状氮掺杂SiC纳米线的碳纤维布作为正负电极。所述锯齿状氮掺杂SiC纳米线基超级电容器能够在150℃温度下持续稳定工作，远高于目前大多数超级电容器使用温度，表现出优异的高温电化学性能。
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公开(公告)号：CN114464470A
公开(公告)日：2022-05-10
申请号：CN202210007647.1
申请日：2022-01-06
Applicant: 宁波工程学院
Abstract: 本发明涉及一种多孔SiC@PANI核/壳纳米线准阵列的制备方法及其在超级电容器中应用，属于能源制造技术领域。本发明公开了一种多孔SiC@PANI核/壳纳米线准阵列的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：将聚硅氮烷和三聚氰胺的粉末混合后置于覆盖有碳基材的坩埚中，通过化学气相沉积法在碳基材上负载SiC纳米线；然后将负载有SiC纳米线的碳基材作为阳极，将铂片电极作为阴极，苯胺酸性溶液作为电解液，通过脉冲电沉积获得多孔SiC@PANI核/壳纳米线准阵列。本发明还公开了一种多孔SiC@PANI核/壳纳米线准阵列及其在超级电容器中应用。
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公开(公告)号：CN112614705A
公开(公告)日：2021-04-06
申请号：CN202011209541.7
申请日：2020-11-03
Applicant: 宁波工程学院 , 江苏尚今光电科技有限公司
Abstract: 本发明提供的一种生长在碳纤维布上的锯齿状氮掺杂SiC纳米线的制备方法，包括以下步骤：将生长在碳纤维布上的三棱柱状氮掺杂SiC纳米线置于氢氟酸和硝酸的混合溶液中，加热腐蚀反应，冷却后，水洗、干燥得生长在碳纤维布上的锯齿状氮掺杂SiC纳米线。本发明提供的一种生长在碳纤维布上的锯齿状氮掺杂SiC纳米线的制备方法，实现了锯齿状氮掺杂SiC纳米线的简单制备，增加了电化学活性反应位点，提高比电容和高温服役循环寿命。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109904004B
公开(公告)日：2020-10-09
申请号：CN201910091359.7
申请日：2019-01-30
Applicant: 宁波工程学院
Abstract: 本发明涉及一种SiC纳米线阵列薄膜的制备方法及其在超级电容器电极中的应用，属于微能源制造技术领域，制备方法包括：将SiC晶圆先切割成SiC晶片，再经清洗、浸泡、干燥处理；将干燥后的SiC晶片作为阳极，SiC晶片的C面接触电极夹，浸入刻蚀液中进行刻蚀处理后取出；将SiC晶片C面的背面接触电极夹，再次浸入刻蚀液中进行剥离处理得SiC纳米线阵列薄膜。本发明SiC纳米线阵列薄膜制备方法，工艺方法简单，具有很好的重复性，且剥离方法简单，剥离的SiC纳米线阵列薄膜完整，成功率高。
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公开(公告)号：CN109103025A
公开(公告)日：2018-12-28
申请号：CN201810720469.0
申请日：2018-07-03
Applicant: 宁波工程学院
Abstract: 本发明涉及SiC纳米孔阵列在超级电容器中的应用，属于纳米材料技术领域。所述的超级电容器的电极由SiC纳米孔阵列一体化制成。所述的SiC纳米孔阵列的相成分为4H-SiC，所述的SiC纳米孔阵列的纳米孔为竖直孔道结构，孔直径为5-40nm，孔长为8-20μm。本发明中SiC纳米孔阵列电极材料具有大比表面积、较好导电性以及化学稳定性和热稳定性，在较宽的温度条件下都具有较高的循环稳定性，因此，将SiC纳米孔阵列一体化制成电极用于超级电容器中可在保证超级电容器高比电容的同时提高其在宽温条件下的循环温度性。
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公开(公告)号：CN118762935A
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202410750438.5
申请日：2024-06-12
Applicant: 宁波工程学院
IPC: H01G9/20 , H01L31/0336
Abstract: 本发明属于紫外光电探测技术领域，涉及一种具有pH通用适应性的SiC/TiO2异质结材料光阳极及其制备方法和应用。本发明光阳极包括FTO导电玻璃及涂覆于FTO导电玻璃上的SiC/TiO2异质结材料，其中SiC/TiO2异质结材料包括SiC单晶纳米线及负载于SiC单晶纳米线上的TiO2纳米颗粒，其主要任务是在光照条件下激发产生光电子，从而促进光电转换过程，使得制备的SiC/TiO2基光电化学型紫外光电探测器在全pH范围(pH＝0‑14)内都具有稳定的光响应，并且对溶液浓度有高灵敏度。
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公开(公告)号：CN112614699A
公开(公告)日：2021-04-06
申请号：CN202011209525.8
申请日：2020-11-03
Applicant: 宁波工程学院 , 江苏尚今光电科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种锯齿状氮掺杂SiC纳米线基高温超级电容器，所述超级电容器包括正负电极、隔膜和电解液，并将生长有锯齿状氮掺杂SiC纳米线的碳纤维布作为正负电极。所述锯齿状氮掺杂SiC纳米线基超级电容器能够在150℃温度下持续稳定工作，远高于目前大多数超级电容器使用温度，表现出优异的高温电化学性能。
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公开(公告)号：CN119008760A
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202411009400.9
申请日：2024-07-26
Applicant: 宁波工程学院
IPC: H01L31/109 , G01J1/48 , G01J1/42 , G01J1/00 , H01L31/0336 , H01L31/18 , B82Y15/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明属于紫外光电探测技术领域，涉及一种自支撑SiC/ZnS异质结纳米阵列及其制备方法和在光电化学型光电探测器的应用。本发明自支撑SiC/ZnS异质结纳米阵列采用阳极氧化法和化学浴沉积法制备，工艺简单且成本低廉，为大规模生产创造了条件，预示着该紫外光电探测器在实际应用中的广阔前景，本发明纳米阵列界面处适量的缺陷不仅延长了载流子的寿命，还提供了额外的活性位点，进一步加强了光电流的产生。
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