Invention Publication
CN119450895A 层压结构的基准点
审中-实审
- Patent Title: 层压结构的基准点
-
Application No.: CN202411679538.XApplication Date: 2020-03-06
-
Publication No.: CN119450895APublication Date: 2025-02-14
- Inventor: 约翰·奥古斯特·奥尔洛夫斯基 , 斯蒂芬·克雷格·帕克 , 小詹姆斯·埃德温·卡勒
- Applicant: QORVO美国公司
- Applicant Address: 美国
- Assignee: QORVO美国公司
- Current Assignee: QORVO美国公司
- Current Assignee Address: 美国
- Agency: 中国贸促会专利商标事务所有限公司
- Agent 刘倜
- Priority: 62/815,375 20190308 US 16/383,752 20190415 US
- Main IPC: H05K1/02
- IPC: H05K1/02 ; H05K1/11 ; H05K1/18 ; H05K3/00

Abstract:
本发明涉及层压结构的基准点。公开了层压结构以及电子器件层压结构的基准点构型。在层压结构中成型的基准点具有更好的可见性和对比度,从而提高电子行业中常用自动化机器光学探测设备探测基准点的能力。通过层压结构中沿其深度延伸的开孔界定所公开的基准点,从而提供足够的对比度。基准点的开孔穿过层压结构的多个金属层和介电层。基准点成型可采用激光钻孔或其他消减处理技术。本文所公开的基准点可涂覆附加层或镀层,例如包括一层电子器件电磁屏蔽层的金属镀层,基准点具有足够的可见性和对比度,使附加层或镀层保持可探测。
Information query