一种半导体结构的形成方法，包括：提供晶圆，包括隔离区和器件区；形成位于器件区上的器件结构，所述器件结构包括第一层结构和位于第一层结构上的第二层结构；形成位于晶圆上的隔离结构，所述隔离结构位于隔离区上，以及位于器件区器件结构之外的区域上，所述器件结构位于所述隔离结构内；获取所述第二层结构和第一层结构是否发生电失效的情况；若所述第二层结构和第一层结构电失效，则获取所述第二层结构和第一层结构在第一方向上的偏移情况；根据所述第二层结构和第一层结构在第一方向上的偏移情况，对所述晶圆进行激光退火处理，使所述第二层结构和第一层结构恢复电连接。所述方法使得半导体结构的应力情况得到改善。