Invention Publication
- Patent Title: 一种基于带偏置电感双降压拓扑的三电感集成磁芯结构
-
Application No.: CN202411531701.8Application Date: 2024-10-30
-
Publication No.: CN119517560APublication Date: 2025-02-25
- Inventor: 韦坚 , 董孟鑫 , 邱学文 , 郭智超 , 张佳薇 , 赵晓坤 , 王伟男 , 刘一琦 , 杨小宝
- Applicant: 东北林业大学
- Applicant Address: 黑龙江省哈尔滨市香坊区和兴路26号
- Assignee: 东北林业大学
- Current Assignee: 东北林业大学
- Current Assignee Address: 黑龙江省哈尔滨市香坊区和兴路26号
- Agency: 哈尔滨龙科专利代理有限公司
- Agent 王恒
- Main IPC: H01F27/24
- IPC: H01F27/24 ; H01F27/30 ; H01F27/29

Abstract:
一种基于带偏置电感双降压拓扑的三电感集成磁芯结构,涉及电力电子磁集成技术领域。EE磁芯开口侧相对连接为一体,其中两侧的磁芯竖向支臂分别作为绕线柱形成电感L1和电感L2,顶部的磁芯横向连接臂、中间的磁芯竖向支臂和底部的磁芯横向连接臂作为公共磁路,附加磁芯为U型磁芯与EE磁芯底部连接为一体,其底端为水平段作为绕线柱形成电感L3,在三个绕线柱的中心位置分别开设气隙并添加空气或低磁导率材料。在EE磁芯的基础上额外增加了一个绕线柱及相关磁路,形成三绕线柱以及多条公共磁路的结构,通过气隙的添加实现更好的适应性,有助于减小电感的整体体积、重量以及损耗。
Information query