本发明属于晶体生长技术领域，提供了一种低电阻率碳化硅单晶的生长方法、系统及单晶，将碳化硅粉料均匀摊铺在石墨坩埚底部，在碳化硅粉料表面均匀摊铺金属碳化物材质颗粒，并将碳化硅籽晶粘接在石墨坩埚顶部；对石墨坩埚进行密封，对其内部进行抽真空处理；对抽真空处理后的石墨坩埚进行加热，并向其中充入载气，随后缓慢将载气置换为掺杂源气体，缓慢将生长压力升高至设定压力，生长出缓冲层；当缓冲层生长完成后，改变生长条件进行重掺杂碳化硅单晶的生长；当晶体生长完成后，对抽真空处理后的石墨坩埚进行降温，使晶体自然冷却，得到低电阻率碳化硅单晶。本发明可以使得碳化硅单晶的掺杂浓度提高，降低碳化硅材料的电阻率。