Invention Publication
- Patent Title: 半导体封装结构及其制造方法
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Application No.: CN202411711717.7Application Date: 2024-11-27
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Publication No.: CN119581459APublication Date: 2025-03-07
- Inventor: 陈翀一 , 彭昊阳 , 刘淑娟 , 谷牧阳
- Applicant: 湖北江城实验室
- Applicant Address: 湖北省武汉市武汉东湖新技术开发区光谷一路227号3号楼
- Assignee: 湖北江城实验室
- Current Assignee: 湖北江城实验室
- Current Assignee Address: 湖北省武汉市武汉东湖新技术开发区光谷一路227号3号楼
- Agency: 北京派特恩知识产权代理有限公司
- Agent 胡奋琴; 浦彩华
- Main IPC: H01L23/544
- IPC: H01L23/544 ; H01L23/538 ; H01L21/768 ; G01L5/00
Abstract:
本申请实施例提供一种半导体封装结构及其制造方法。其中，半导体封装结构包括堆叠设置的多个半导体芯片；至少一个半导体芯片包括沿多个不同方向布置的多个应力检测结构；应力检测结构位于半导体芯片的互连结构中；多个半导体芯片包括穿过至少一个半导体芯片且与应力检测结构连接的引出结构；引出结构将应力检测结构引出至多个半导体芯片的顶部或者底部。
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IPC分类:
