Invention Publication
- Patent Title: 一种漏磁可控型混合永磁可变磁通记忆电机
-
Application No.: CN202411707737.7Application Date: 2024-11-26
-
Publication No.: CN119628272APublication Date: 2025-03-14
- Inventor: 张海斌 , 莫丽红 , 陈志刚
- Applicant: 淮阴工学院
- Applicant Address: 江苏省淮安市经济技术开发区枚乘东路1号
- Assignee: 淮阴工学院
- Current Assignee: 淮阴工学院
- Current Assignee Address: 江苏省淮安市经济技术开发区枚乘东路1号
- Agency: 南京苏高专利商标事务所
- Agent 柏尚春
- Main IPC: H02K1/22
- IPC: H02K1/22 ; H02K1/276

Abstract:
本发明公开了一种漏磁可控型混合永磁可变磁通记忆电机,包括定子、绕组、转子以及转轴,定子上安装有绕组,转子固定在转轴上,所述转子上设置有低矫顽力永磁体、高矫顽力永磁体、开口朝外的V型永磁体槽、磁障以及磁桥,低矫顽力永磁体包括第一低矫顽力永磁体和第二低矫顽力永磁体,高矫顽力永磁体包括第一高矫顽力永磁体和第二高矫顽力永磁体,V型永磁体槽沿转子铁心圆周方向均匀布置,每个V型永磁体槽两侧分别放置第二低矫顽力永磁体。本发明具有更多漏磁支路,在空载和弱磁工况时,电机漏磁程度更高,气隙磁密更低;降低了高矫顽力永磁体退磁风险,提高了效率,满足了高升速需求。
Information query