发明授权
CN1197151C 半导体器件
失效 - 权利终止
- 专利标题： 半导体器件
- 专利标题（英）： Semiconductor device
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申请号： CN02119922.1申请日： 1998-12-07
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公开(公告)号： CN1197151C公开(公告)日： 2005-04-13
- 发明人: 近藤保夫 , 金田润也 , 青野泰久 , 阿部辉宜 , 稻垣正寿 , 斋藤隆一 , 小池义彦 , 荒川英夫
- 申请人： 株式会社日立制作所
- 申请人地址： 日本东京
- 专利权人： 株式会社日立制作所
- 当前专利权人： 株式会社日立制作所
- 当前专利权人地址： 日本东京
- 代理机构： 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
- 代理商 王杰
- 分案原申请号： 988093561
- 主分类号： H01L23/36
- IPC分类号： H01L23/36 ; H05K7/20
摘要：
本发明的目的是提供一种半导体器件，其包括具有散热片的绝缘衬底和安装在所述绝缘衬底上的半导体元件，其中，所述散热片用由铜和铜氧化物构成的复合材料制成，其特征在于所述铜的氧化物是氧化亚铜(Cu2O)，所述氧化亚铜的含量为20-80体积%。
公开/授权文献
- CN1377079A 复合材料及其应用 公开/授权日：2002-10-30
IPC分类:
