半导体器件及其制造方法

发明授权

CN1204622C 半导体器件及其制造方法失效 - 权利终止

摘要：

一种半导体器件包括具有形成于其第一主表面上的多个电极的半导体芯片；于其中密封半导体芯片的树脂封装；电连接半导体芯片电极的多个引线，其形成为在树脂封装内部和外部延伸；在与第一主表面相对的半导体芯片第二主表面的一部分处支撑半导体芯片的支撑引线。半导体芯片用粘合带键合于支撑引线上。

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IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L23/00	半导体或其他固态器件的零部件（H01L25/00优先）
H01L23/02	.容器；封接（H01L23/12，H01L23/34，H01L23/48，H01L23/552优先）