发明授权
CN1204662C 半导体激光器模块及其制造方法和光放大器
失效 - 权利终止
- 专利标题: 半导体激光器模块及其制造方法和光放大器
- 专利标题(英): Semiconductor laser module and its making method and light amplifier
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申请号: CN01143868.1申请日: 2001-12-14
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公开(公告)号: CN1204662C公开(公告)日: 2005-06-01
- 发明人: 木村俊雄 , 中江将士 , 清水健男 , 築地直树 , 吉田顺自 , 舟桥政树 , 爱清武 , 山本敏郎 , 虎谷智明 , 松浦宽 , 小西美惠子
- 申请人: 古河电气工业株式会社
- 申请人地址: 日本东京
- 专利权人: 古河电气工业株式会社
- 当前专利权人: 古河电气工业株式会社
- 当前专利权人地址: 日本东京
- 代理机构: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
- 代理商 杜日新
- 优先权: 381936/2000 2000.12.15 JP; 217265/2001 2001.07.17 JP; 325705/2001 2001.10.23 JP
- 主分类号: H01S5/00
- IPC分类号: H01S5/00
摘要:
一种半导体激光器模块,具有:具有隔开间隔形成的第1带区9和第2带区10,从第1带区9和第2带区10分别出射第1激光K1和第2激光K2的半导体激光器2;入射从半导体激光器2出射的第1激光K1和第2激光K2,在不同焦点使第1激光K1和第2激光K2聚光的第1透镜4;使第1激光K1的偏振面旋转90度的半波长板6;对入射的第1激光K1和第2激光K2进行合波出射的偏振波合成构件部7;以及接收从偏振波合成构件7出射的激光送出外部的光纤8。
公开/授权文献
- CN1366368A 半导体激光器模块及其制造方法和光放大器 公开/授权日:2002-08-28