-
公开(公告)号：CN105917534B
公开(公告)日：2017-07-14
申请号：CN201480070638.0
申请日：2014-12-04
申请人： 古河电气工业株式会社
CPC分类号： H01S5/146 , H01S3/06754 , H01S3/094011 , H01S3/094096 , H01S3/302 , H01S5/02208 , H01S5/02248 , H01S5/02415 , H01S5/0652 , H01S5/141 , H01S5/142 , H01S2301/03
摘要： 在半导体激光装置的设计方法中，通过控制从输出侧反射单元到第二反射单元的距离、和用包含半导体激光元件中的光的环绕时间τ、输出侧反射单元的反射率R1以及第二反射单元的反射率R2的κ＝(1/τ)×(1‑R1)×(R2/R1)1/2的式定义的向半导体激光元件的有效的返回光量κ，来使LFF周期成为20ns以下，选择该LFF周期成为20ns以下的半导体激光装置，作为出现FBG模式和FP模式的高速切换的半导体激光装，作为在相干崩溃模式下进行振荡的半导体激光装置使用。
-
公开(公告)号：CN105830292A
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201480070393.1
申请日：2014-12-26
申请人： 古河电气工业株式会社
摘要： 半导体激光器阵列具备在互不相同的振荡波长下进行单一模式振荡的多个半导体激光器，各所述半导体激光器具备：包含具有交替层叠的多个阱层和势垒层的多量子阱结构的活性层；和从厚度方向夹着该活性层而形成、带隙能大于该活性层的所述势垒层的带隙能的n侧分离限制异质结构层以及p侧分离限制异质结构层，在所述活性层掺杂n型杂质。由此提供能在宽带中输出高强度的激光的半导体激光器阵列。
-
公开(公告)号：CN1366368A
公开(公告)日：2002-08-28
申请号：CN01143868.1
申请日：2001-12-14
申请人： 古河电气工业株式会社
IPC分类号： H01S5/00
CPC分类号： H01S5/02248 , G02B6/4206 , G02B6/4218 , H01S3/094003 , H01S3/094073 , H01S3/094096 , H01S3/09415 , H01S5/02284 , H01S5/02415 , H01S5/02438 , H01S5/1203 , H01S5/1212 , H01S5/1215 , H01S5/146 , H01S5/4012 , H01S5/4062 , H01S5/4068 , H01S5/4087
摘要： 一种半导体激光器模块,具有:具有隔开间隔形成的第1带区9和第2带区10,从第1带区9和第2带区10分别出射第1激光K1和第2激光K2的半导体激光器2;入射从半导体激光器2出射的第1激光K1和第2激光K2,在不同焦点使第1激光K1和第2激光K2聚光的第1透镜4;使第1激光K1的偏振面旋转90度的半波长板6;对入射的第1激光K1和第2激光K2进行合波出射的偏振波合成构件部7;以及接收从偏振波合成构件7出射的激光送出外部的光纤8。
-
公开(公告)号：CN107005022B
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：CN201580063624.0
申请日：2015-12-21
申请人： 古河电气工业株式会社
IPC分类号： H01S5/0232 , H01S5/024 , H01S5/02345
摘要： 在基座(19)上设置电路导体(25)。在电路导体(25)上连接半导体激光器(5)。在基座(19)的例如四个角落附近设置不形成电路导体(25)的缺口部，在该部位分别设置孔(20)。孔(20)贯穿基座(19)。孔(20)中插通固定构件(21)。固定构件(21)例如是外螺纹。由于固定构件(21)的头部位于缺口部，因此固定构件(21)与电路导体(25)不接触。底座(17)的与光学单元(23)的孔(20)对应的部位形成孔，并且在孔的内表面形成内螺纹。因此，固定构件(21)与底座(17)接合。其结果，光学单元(23)被固定在底座(17)上。
-
公开(公告)号：CN1306668C
公开(公告)日：2007-03-21
申请号：CN02116190.9
申请日：2002-04-23
申请人： 古河电气工业株式会社
摘要： 本发明公开了一种半导体激光装置、模块及方法，用于提供适于为喇曼放大器提供泵浦光源的光线。该半导体激光装置包括一被构造来发射光线的有源层、一与该有源层接触的间隔层，以及一成形在该间隔层内、并被构造来发射具有多个纵向模式的光束的衍射光栅，这些纵向模式位于该半导体装置的振荡谱的预定谱宽度内。通过改变该纵向模式之间的波长间隔和/或拓宽振荡波长谱的预定谱宽度，在振荡波长谱的预定谱宽度内提供了多个纵向模式。波长间隔通过该半导体激光装置中谐振腔的长度进行设定，同时，通过缩短衍射光栅或者在衍射光栅内改变光栅元件的间距来对振荡波长谱的预定谱宽度进行设定。
-
公开(公告)号：CN116057465A
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202180054013.5
申请日：2021-09-09
申请人： 古河电气工业株式会社
IPC分类号： G02F1/35
摘要： 提供同时抑制RIN和波动的光源、光源装置、光源的驱动方法和利用其的拉曼放大器以及拉曼放大系统。光源具备：种子光源，其输入具有给定的带的非相干的种子光；和辅助放大器，其是对从第1端面输入的所述种子光进行光放大并作为放大光从第2端面输出的半导体光放大器，所述辅助放大器对所述第1端面以及所述第2端面进行反射减少处理，并且在增益饱和状态下动作，在所述放大光下同时抑制相对强度噪声(RIN)以及波动。
-
公开(公告)号：CN107005022A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：CN201580063624.0
申请日：2015-12-21
申请人： 古河电气工业株式会社
IPC分类号： H01S5/022
CPC分类号： H01S5/02256 , H01S5/02216 , H01S5/02248 , H01S5/02284 , H01S5/02288 , H01S5/024 , H01S5/02476 , H01S5/0683 , H01S5/4012 , H01S5/4025 , H01S5/4075
摘要： 在基座(19)上设置电路导体(25)。在电路导体(25)上连接半导体激光器(5)。在基座(19)的例如四个角落附近设置不形成电路导体(25)的缺口部，在该部位分别设置孔(20)。孔(20)贯穿基座(19)。孔(20)中插通固定构件(21)。固定构件(21)例如是外螺纹。由于固定构件(21)的头部位于缺口部，因此固定构件(21)与电路导体(25)不接触。底座(17)的与光学单元(23)的孔(20)对应的部位形成孔，并且在孔的内表面形成内螺纹。因此，固定构件(21)与底座(17)接合。其结果，光学单元(23)被固定在底座(17)上。
-
公开(公告)号：CN105917534A
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：CN201480070638.0
申请日：2014-12-04
申请人： 古河电气工业株式会社
CPC分类号： H01S5/146 , H01S3/06754 , H01S3/094011 , H01S3/094096 , H01S3/302 , H01S5/02208 , H01S5/02248 , H01S5/02415 , H01S5/0652 , H01S5/141 , H01S5/142 , H01S2301/03
摘要： 在半导体激光装置的设计方法中，通过控制从输出侧反射单元到第二反射单元的距离、和用包含半导体激光元件中的光的环绕时间τ、输出侧反射单元的反射率R1以及第二反射单元的反射率R2的κ＝(1/τ)×(1?R1)×(R2/R1)1/2的式定义的向半导体激光元件的有效的返回光量κ，来使LFF周期成为20ns以下，选择该LFF周期成为20ns以下的半导体激光装置，作为出现FBG模式和FP模式的高速切换的半导体激光装，作为在相干崩溃模式下进行振荡的半导体激光装置使用。
-
公开(公告)号：CN1204662C
公开(公告)日：2005-06-01
申请号：CN01143868.1
申请日：2001-12-14
申请人： 古河电气工业株式会社
IPC分类号： H01S5/00
CPC分类号： H01S5/02248 , G02B6/4206 , G02B6/4218 , H01S3/094003 , H01S3/094073 , H01S3/094096 , H01S3/09415 , H01S5/02284 , H01S5/02415 , H01S5/02438 , H01S5/1203 , H01S5/1212 , H01S5/1215 , H01S5/146 , H01S5/4012 , H01S5/4062 , H01S5/4068 , H01S5/4087
摘要： 一种半导体激光器模块，具有：具有隔开间隔形成的第1带区9和第2带区10，从第1带区9和第2带区10分别出射第1激光K1和第2激光K2的半导体激光器2；入射从半导体激光器2出射的第1激光K1和第2激光K2，在不同焦点使第1激光K1和第2激光K2聚光的第1透镜4；使第1激光K1的偏振面旋转90度的半波长板6；对入射的第1激光K1和第2激光K2进行合波出射的偏振波合成构件部7；以及接收从偏振波合成构件7出射的激光送出外部的光纤8。
-
公开(公告)号：CN118355575A
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202280080538.0
申请日：2022-12-07
申请人： 古河电气工业株式会社
IPC分类号： H01S5/50 , G02F1/35 , H01S3/0933 , H01S5/042
摘要： 光源具备：种子光源，输出具有给定的频带的非相干的种子光；以及作为半导体光放大器的助推放大器，对从第一端面输入的所述种子光进行光放大，并作为放大光从第二端面输出，所述助推放大器设定折射率(n)与芯片长度(L)之积即(nL)，以使得在所述放大光中相对强度噪声(RIN)以及脉动被同时抑制。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
13 条记录 (耗时 0.028 秒)
