发明授权
CN1215205C 单晶体缺陷的去除方法及用该方法去除缺陷的单晶体
失效 - 权利终止
- 专利标题： 单晶体缺陷的去除方法及用该方法去除缺陷的单晶体
- 专利标题（英）： Method for removing defects of single crystal material and single crystal material from which defects are removed by the method
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申请号： CN99811516.9申请日： 1999-09-29
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公开(公告)号： CN1215205C公开(公告)日： 2005-08-17
- 发明人: 古川纯 , 须藤充 , 中井哲弥 , 藤川隆男 , 增井卓也
- 申请人： 三菱住友硅晶株式会社
- 申请人地址： 日本东京都
- 专利权人： 三菱住友硅晶株式会社
- 当前专利权人： 三菱住友硅晶株式会社
- 当前专利权人地址： 日本东京都
- 代理机构： 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
- 代理商 王以平
- 优先权： 277004/1998 1998.09.30 JP; 82953/1999 1999.03.26 JP
- 国际申请： PCT/JP1999/005310 1999.09.29
- 国际公布： WO2000/018990 JA 2000.04.06
- 进入国家日期： 2001-03-29
- 主分类号： C30B33/02
- IPC分类号： C30B33/02 ; H01L21/324
摘要：
在使单晶体(11)稳定的气氛中，在0.2～304Mpa的压力和以绝对温度表示的单晶体(11)熔点的0.85倍以上的温度下，对单晶体(11)进行热等静压处理5分钟～20小时，然后对单晶体(11)进行缓冷。对单晶体(11)稳定的气氛优选为不活泼气体或者包含高蒸气压元素的蒸气的气体，且HIP处理优选在10～200MPa的压力下进行。单晶体(11)可以为硅单晶、GaAs单晶、InP单晶、ZnS单晶或ZnSe单晶铸锭，或者从铸锭上切取的晶块或晶片。由此，不管单晶体(11)的尺寸有多大，都可以去除或者分散位于单晶体(11)表面以及内部的诸如空位型内生缺陷的晶格缺陷。
公开/授权文献
- CN1320173A 单晶体缺陷的去除方法及用该方法去除缺陷的单晶体 公开/授权日：2001-10-31
IPC分类:
