发明公开
CN1216862A 半导体存储器件及其制造方法
失效 - 权利终止
- 专利标题： 半导体存储器件及其制造方法
- 专利标题（英）： Semiconductor memory device and method of fabricating the same
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申请号： CN98123833.5申请日： 1998-11-04
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公开(公告)号： CN1216862A公开(公告)日： 1999-05-19
- 发明人: 山口宪 , 木村绅一郎 , 堀内胜忠 , 手嶋达也
- 申请人： 株式会社日立制作所
- 申请人地址： 日本东京
- 专利权人： 株式会社日立制作所
- 当前专利权人： 株式会社日立制作所
- 当前专利权人地址： 日本东京
- 代理机构： 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
- 代理商 王永刚
- 优先权： 301559/97 1997.11.04 JP
- 主分类号： H01L27/105
- IPC分类号： H01L27/105 ; H01L27/108 ; H01L21/8242 ; G11C11/34
摘要：
在如DRAM的半导体存储器件中,在隔离绝缘膜1.2的边缘部分上分布有导电薄膜1.11’,所述隔离绝缘膜与半导体衬底1.1相对,中间是薄的绝缘膜。该导电薄膜1.11’电连于存储电容器的下电极1.11。该新颖结构可以独立于冶金pn结的位置来控制电学性pn结的位置。从而实现了数据保留时间长、有效抑制漏泄电流的半导体存储器件。
公开/授权文献
- CN1137518C 半导体存储器件及其制造方法 公开/授权日：2004-02-04
IPC分类:
