公开(公告)号：CN1428820A

公开(公告)日：2003-07-09

申请号：CN02126975.0

申请日：2002-07-26

申请人： 株式会社日立制作所

发明人： 诹访雄二 ,  桥诘富博 ,  山口宪 ,  藤森正成

IPC分类号： H01L21/22 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L29/66537 ,  H01L21/3003 ,  H01L21/823807 ,  H01L29/1083 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66621 ,  H01L29/7834

摘要： 提供一种半导体装置及其制造方法，更具体地，提供一种低成本的δ掺杂技术，其可防止MOSFET的微细化时产生击穿现象的问题，且不会牺牲器件的特性。为此，使掺杂到半导体衬底中的磷原子偏析于表面，并以该表面层作为δ掺杂层使用。此处所谓偏析是指杂质原子以高于半导体衬底内部的浓度分布在表面附近。

公开(公告)号：CN1216862A

公开(公告)日：1999-05-19

申请号：CN98123833.5

申请日：1998-11-04

申请人： 株式会社日立制作所

发明人： 山口宪 ,  木村绅一郎 ,  堀内胜忠 ,  手嶋达也

IPC分类号： H01L27/105 ,  H01L27/108 ,  H01L21/8242 ,  G11C11/34

CPC分类号： H01L27/10808 ,  H01L27/10873

摘要： 在如DRAM的半导体存储器件中,在隔离绝缘膜1.2的边缘部分上分布有导电薄膜1.11’,所述隔离绝缘膜与半导体衬底1.1相对,中间是薄的绝缘膜。该导电薄膜1.11’电连于存储电容器的下电极1.11。该新颖结构可以独立于冶金pn结的位置来控制电学性pn结的位置。从而实现了数据保留时间长、有效抑制漏泄电流的半导体存储器件。

公开(公告)号：CN1249783C

公开(公告)日：2006-04-05

申请号：CN02126975.0

申请日：2002-07-26

申请人： 株式会社日立制作所

发明人： 诹访雄二 ,  桥诘富博 ,  山口宪 ,  藤森正成

IPC分类号： H01L21/22 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L29/66537 ,  H01L21/3003 ,  H01L21/823807 ,  H01L29/1083 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66621 ,  H01L29/7834

摘要： 提供一种半导体装置及其制造方法，更具体地，提供一种低成本的δ掺杂技术，其可防止MOSFET的微细化时产生击穿现象的问题，且不会牺牲器件的特性。为此，使掺杂到半导体衬底中的磷原子偏析于表面，并以该表面层作为δ掺杂层使用。此处所谓偏析是指杂质原子以高于半导体衬底内部的浓度分布在表面附近。

公开(公告)号：CN1137518C

公开(公告)日：2004-02-04

申请号：CN98123833.5

申请日：1998-11-04

申请人： 株式会社日立制作所

发明人： 山口宪 ,  木村绅一郎 ,  堀内胜忠 ,  手嶋达也

IPC分类号： H01L27/105 ,  H01L27/108 ,  H01L21/8242 ,  G11C11/34

CPC分类号： H01L27/10808 ,  H01L27/10873

摘要： 在如DRAM的半导体存储器件中，在隔离绝缘膜1.2的边缘部分上分布有导电薄膜1.11’，所述隔离绝缘膜与半导体衬底1.1相对，中间是薄的绝缘膜。该导电薄膜1.11’电连于存储电容器的下电极1.11。该新颖结构可以独立于冶金pn结的位置来控制电学性pn结的位置。从而实现了数据保留时间长、有效抑制漏泄电流的半导体存储器件。