发明授权
CN1221042C 磁致电阻效应元件的制造方法和磁致电阻效应型磁头的制造方法
失效 - 权利终止
- 专利标题: 磁致电阻效应元件的制造方法和磁致电阻效应型磁头的制造方法
- 专利标题(英): Method for manufacturing magnetoresistance effect device and method for manufacturing magnetoresistance effect magnetic head
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申请号: CN01805332.7申请日: 2001-11-22
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公开(公告)号: CN1221042C公开(公告)日: 2005-09-28
- 发明人: 石井聪 , 佐佐木智
- 申请人: 索尼株式会社
- 申请人地址: 日本东京
- 专利权人: 索尼株式会社
- 当前专利权人: 索尼株式会社
- 当前专利权人地址: 日本东京
- 代理机构: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
- 代理商 付建军
- 优先权: 356255/2000 2000.11.22 JP
- 国际申请: PCT/JP2001/010210 2001.11.22
- 国际公布: WO2002/043164 JA 2002.05.30
- 进入国家日期: 2002-08-20
- 主分类号: H01L43/08
- IPC分类号: H01L43/08 ; H01L43/12 ; G11B5/39 ; G01R33/09 ; H01F10/32
摘要:
一种磁致电阻效应元件的制造方法,包括:形成至少具有反强磁性层(4)、钉扎层(3)、间隔层(5)的层叠膜的成膜工序;把该层叠膜按预定的图案构图的第一构图工序;在该构图后的层叠膜周围埋入绝缘层的埋入工序;在该绝缘层和上述构图后的层叠膜上形成上述磁束导入层或上述自由层兼磁束导入层的成膜工序;以及按预定的图案对上述绝缘层和上述层叠膜同时构图形成上述叠层结构部的、利用离子束蚀刻的第二构图工序。通过把该蚀刻离子束的入射角选择为与蚀刻面的法线的夹角θ为10°≤θ≤40°,优选为15°≤θ≤35°,使叠层结构部的构成材料和绝缘层的构成材料的蚀刻速度基本上相同,从而可以没有过分或不足地粗确地进行各部分的蚀刻,实现特性的稳定化和生产率的提高。
公开/授权文献
- CN1404631A 磁致电阻效应元件的制造方法和磁致电阻效应型磁头的制造方法 公开/授权日:2003-03-19
IPC分类: