发明授权
- 专利标题： 半导体装置及其制造方法
- 专利标题（英）： Semiconductor device and its producing method
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申请号： CN03142356.6申请日： 2003-06-10
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公开(公告)号： CN1225793C公开(公告)日： 2005-11-02
- 发明人: 久都内知惠
- 申请人： 松下电器产业株式会社
- 申请人地址： 日本大阪府
- 专利权人： 松下电器产业株式会社
- 当前专利权人： 潘诺瓦塞米克有限责任公司
- 当前专利权人地址： 美国加利福尼亚州
- 代理机构： 中科专利商标代理有限责任公司
- 代理商 汪惠民
- 优先权： 2002-168455 2002.06.10 JP
- 主分类号： H01L27/10
- IPC分类号： H01L27/10 ; H01L21/822
摘要：
一种半导体装置，在半导体基板(100)上，为覆盖一对杂质扩散层(102)、栅极绝缘膜(103)以及栅极(104)构成的晶体管而形成层间绝缘膜(106)，在该层间绝缘膜(106)上，形成由没有取向的氧化钛铝构成的密接层(107)。在密接层(107)上，介入第1导电性势垒层(108)以及第2导电性势垒层(109)后，形成由下部电极(110)、电容绝缘膜(111)以及上部电极(112)构成电容元件。晶体管和电容元件，通过在层间绝缘膜(106)以及密接层(107)中埋入的导电性插栓(113)进行连接。可以提高在层间绝缘膜的内部形成导电性插栓与在层间绝缘膜上形成的电容元件之间的密接性。
公开/授权文献
- CN1469479A 半导体装置及其制造方法 公开/授权日：2004-01-21
IPC分类:
