发明公开
CN1236981A 薄膜晶体管及其制造方法
无效 - 撤回
- 专利标题： 薄膜晶体管及其制造方法
- 专利标题（英）： Film transistor and its making method
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申请号： CN99107059.3申请日： 1999-05-26
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公开(公告)号： CN1236981A公开(公告)日： 1999-12-01
- 发明人: 河北哲郎 , 仓增敬三郎 , 生田茂雄
- 申请人： 松下电器产业株式会社
- 申请人地址： 日本大阪府
- 专利权人： 松下电器产业株式会社
- 当前专利权人： 松下电器产业株式会社
- 当前专利权人地址： 日本大阪府
- 代理机构： 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
- 代理商 王永刚
- 优先权： 143892/98 1998.05.26 JP; 019535/99 1999.01.28 JP
- 主分类号： H01L21/336
- IPC分类号： H01L21/336 ; H01L29/786
摘要：
本发明的目的是下述(1)、(2)两项:(1)在近些年来的大型且像素密度高的大型液晶显示屏等中使用的小的薄膜晶体管的源极和漏极电极用的接触孔形成中,防止因刻蚀不足所引起的绝缘膜刻蚀不尽,或因过刻蚀所引起的半导体层的消失这一现象的发生。(2)使源极电极、漏极电极与半导体层之间进行确实的电接触。为此,(1)通过把接触孔部分的硅膜作成为2层构造等预先形成得厚。(2)在电极金属和半导体之间设置硅化物层。