公开(公告)号：CN1942914A

公开(公告)日：2007-04-04

申请号：CN200680000174.1

申请日：2006-02-15

申请人： 松下电器产业株式会社

发明人： 中尾武寿 ,  雨宫清英 ,  竹沢弘辉 ,  柳川博人 ,  河北哲郎

IPC分类号： G09F9/00 ,  H04N5/66 ,  H04N5/64

CPC分类号： G06F1/1601 ,  G06F1/20 ,  G06F2200/1612

摘要： 本发明提供一种既可靠地抑制平板显示装置的框体适当部位的高温化、又能够高效地冷却框体内部的平板显示装置。本发明的平板显示装置(100)是如下这样的装置，即，其包括：平面显示板(11)；具有与平面显示板(11)的显示面相对应的开口的前罩(15)；和具有第1框体部(20)和第2框体部(21)且覆盖平面显示板(11)的背面的框体(18)，第1框体部(20)的热传导率小于第2框体部(21)的热传导率，第1框体部(20)从第2框体部(21)向上方延伸，在第1框体部(20)设置有通气孔。

公开(公告)号：CN1618130A

公开(公告)日：2005-05-18

申请号：CN02827883.6

申请日：2002-02-07

申请人： 松下电器产业株式会社

发明人： 山本伸一 ,  西尾干夫 ,  河北哲郎 ,  筒博司

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  G02F1/1368

CPC分类号： H01L29/66757 ,  G02F1/13624 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78696

摘要： 本发明提供一种具有薄膜晶体管的半导体装置，该晶体管又具有在绝缘基板(100)上形成的多晶半导体薄膜(2)。该半导体装置，在半导体薄膜(100)内具有沟道区域(80)、分别位于沟道区域(80)两侧的源极区域(91)和漏极区域(92)。沟道区域(90)含有第一导电型的杂质和与所述第一导电型相反的导电型的第二导电型的杂质二者，它由第一导电型和所述第二导电型抵消的第一层(2a)和第一导电型或第二导电型中任何一种占支配地位的第二层(2b)层叠构成，经绝缘膜(3)与第一层(2a)相对地形成栅极电极(4)。源极区域(91)和漏极区域(92)由与在第二层(2b)中占支配地位的导电型相反的导电型构成。采用这种结构，可降低断开电流，同时容易控制阈值电压。

公开(公告)号：CN1307730A

公开(公告)日：2001-08-08

申请号：CN99808118.3

申请日：1999-06-29

申请人： 松下电器产业株式会社

发明人： 仓增敬三郎 ,  佐佐木厚 ,  河北哲郎

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L21/20 ,  G02F1/136

CPC分类号： H01L21/02675 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/2022 ,  H01L21/2026 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78675 ,  H01L29/78678

摘要： 本发明方法可防止因激光退火形成的多晶硅薄膜的表面凹凸,特别防止因凹凸发生的混入物偏析而导致的晶体管元件的性能降低、质量偏差等。该方法包括,(1)化学、机械地磨消激光退火后的多晶硅薄膜的表面部的突起和混入物的偏析部分;(2)通过热处理进行晶体生长,并且一边除去表面的混入物,一边平化表面。

公开(公告)号：CN1236981A

公开(公告)日：1999-12-01

申请号：CN99107059.3

申请日：1999-05-26

申请人： 松下电器产业株式会社

发明人： 河北哲郎 ,  仓增敬三郎 ,  生田茂雄

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L29/786

CPC分类号： H01L29/66757 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/76802 ,  H01L29/458 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78684

摘要： 本发明的目的是下述(1)、(2)两项:(1)在近些年来的大型且像素密度高的大型液晶显示屏等中使用的小的薄膜晶体管的源极和漏极电极用的接触孔形成中,防止因刻蚀不足所引起的绝缘膜刻蚀不尽,或因过刻蚀所引起的半导体层的消失这一现象的发生。(2)使源极电极、漏极电极与半导体层之间进行确实的电接触。为此,(1)通过把接触孔部分的硅膜作成为2层构造等预先形成得厚。(2)在电极金属和半导体之间设置硅化物层。

公开(公告)号：CN1823425A

公开(公告)日：2006-08-23

申请号：CN200480019832.2

申请日：2004-07-08

申请人： 松下电器产业株式会社

发明人： 七井识成 ,  山本伸一 ,  河北哲郎

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L51/00

CPC分类号： H01L51/0545 ,  H01L27/28 ,  H01L51/0052

摘要： 本发明提供一种有机薄膜晶体管，其具有基板(11)和设置在基板(11)上的由有机半导体构成的半导体层(14)，半导体层(14)由上述有机半导体的晶体构成；上述晶体的晶相与上述有机半导体的能量最稳定的块晶的晶相相同。并且，本发明的有机薄膜晶体管的制造方法是在基板(11)上蒸镀有机半导体而形成半导体层(14)的有机薄膜晶体管的制造方法，在蒸镀上述有机半导体时，将基板(11)的温度保持在40～150℃的范围内，以0.1～1nm/分的蒸镀速度进行蒸镀。

公开(公告)号：CN1375113A

公开(公告)日：2002-10-16

申请号：CN00812981.9

申请日：2000-09-13

申请人： 松下电器产业株式会社

发明人： 竹桥信逸 ,  河北哲郎 ,  武富义尚 ,  筒博司

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/66757 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78621 ,  H01L2029/7863

摘要： 本发明的课题是,为了用于液晶显示装置等,在基板上排列形成了多个微小并且具有良好精度的LDD结构的薄膜晶体管。为此,以栅电极作为向半导体层注入杂质时的掩模。由于为LDD结构,故分两次注入杂质。在第1次和第2次注入杂质时,栅电极的尺寸对应于LDD长度而变化。作为改变用作杂质注入掩模的栅电极尺寸的方法,利用了金属氧化或干法刻蚀。为了对栅电极以高精度进行干法刻蚀,应在光致抗蚀剂方面下工夫。

公开(公告)号：CN1296643A

公开(公告)日：2001-05-23

申请号：CN00800291.6

申请日：2000-03-09

申请人： 松下电器产业株式会社

发明人： 竹桥信逸 ,  生田茂雄 ,  河北哲郎 ,  井上真弓 ,  仓增敬三郎

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/66757 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78624 ,  H01L29/78627

摘要： 特别是提供液晶显示装置用的性能优良的LDD型TFT。为此,利用化学反应、电镀等使顶部栅极型的LDD－TFT的栅极电极变成为2个台阶构造,此外,使上部或下部变成为对于别的部分,在源极电极一侧、漏极电极一侧稍微突出出来的形状。然后,在该构造、形状的基础上,以电极为掩模注入杂质。在杂质注入之前,或者除去栅极绝缘膜,或者为防止稀释用氢的侵入形成Ti膜。在底部栅极一侧LDD－TFT中,制造方法也大体上相同。