发明授权
CN1242549C 高线性度的互补金属氧化物半导体转导电路
失效 - 权利终止
- 专利标题： 高线性度的互补金属氧化物半导体转导电路
- 专利标题（英）： High linearity complementary metal oxid semiconductor transduction circuit
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申请号： CN02120450.0申请日： 2002-05-23
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公开(公告)号： CN1242549C公开(公告)日： 2006-02-15
- 发明人: 楼志宏
- 申请人： 财团法人工业技术研究院
- 申请人地址： 台湾省新竹县竹东镇中兴路四段195号
- 专利权人： 财团法人工业技术研究院
- 当前专利权人： 财团法人工业技术研究院
- 当前专利权人地址： 台湾省新竹县竹东镇中兴路四段195号
- 代理机构： 上海专利商标事务所有限公司
- 代理商 任永武
- 主分类号： H03F1/32
- IPC分类号： H03F1/32 ; H03F1/34 ; H03F3/18
摘要：
本发明提出一互补金属氧化物半导体(CMOS)转导电路，用以同时提供高速与高线性度的特性，其包含一输出晶体管，此输出晶体管的源极用以接受电流源的输入，而输出晶体管的闸极用以接受另一电流源的输入，并且由输出晶体管的汲极输出电流；一电阻，是连接输出晶体管的源极；及一区域负反馈电路，是将输出晶体管的闸极负反馈连接至输出晶体管的源极，并使得此互补金属氧化物半导体转导电路的转导值为电阻值的倒数。
公开/授权文献
- CN1459924A 高线性度的互补金属氧化物半导体转导电路 公开/授权日：2003-12-03
IPC分类:
