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公开(公告)号：CN1069477C
公开(公告)日：2001-08-08
申请号：CN93114743.3
申请日：1993-11-29
申请人： 三星电子株式会社
发明人： J·R·哈福德
CPC分类号： H04N5/4446 , H03F3/19 , H03G1/0023 , H03G3/30 , H03G3/3068 , H04N5/455 , H04N5/52
摘要： 在电视接收装置中，第一中频放大器链包括第一增益控制放大器和在后面的第二增益控制放大器；第二中频放大器链包括第三增益控制放大器和在后面的一个第四增益控制放大器。第二和第四放大器以同样方式由AGC信号进行控制；第一和第三放大器以同样方式由延时相同量的AGC信号进行控制。射频放大器是由带有更大延时的AGC信号控制的增益控制放大器，对第一中频放大器输出响应进行下变频，以产生伴音中频。对第二中频放大器输出响应进行检波，以恢复视频信号。
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公开(公告)号：CN117859266A
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202280057638.1
申请日：2022-08-31
申请人： 玛科姆技术方案控股有限公司
摘要： 描述了具有偏置稳定的放大器的各方面。在一个示例中，放大器包括：输出放大器级，具有输入端子；偏置支路，具有耦合到输入端子的偏置节点；以及偏置反馈网络，耦合在输出放大器级的输入端子与偏置支路之间。在一个示例中，偏置反馈网络可以包括差分放大器、旁路级和参考电压发生器。差分放大器可以基于输出放大器级的基极端子处的偏置电压与由参考电压发生器生成的电压参考之间的差来生成偏置控制信号。偏置反馈网络生成偏置控制信号，并基于反馈来控制偏置电压，以在工艺、温度、增益和其他变化中保持偏置电压和偏置电流恒定，从而实现一致的性能。
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公开(公告)号：CN1242549C
公开(公告)日：2006-02-15
申请号：CN02120450.0
申请日：2002-05-23
申请人： 财团法人工业技术研究院
发明人： 楼志宏
摘要： 本发明提出一互补金属氧化物半导体(CMOS)转导电路，用以同时提供高速与高线性度的特性，其包含一输出晶体管，此输出晶体管的源极用以接受电流源的输入，而输出晶体管的闸极用以接受另一电流源的输入，并且由输出晶体管的汲极输出电流；一电阻，是连接输出晶体管的源极；及一区域负反馈电路，是将输出晶体管的闸极负反馈连接至输出晶体管的源极，并使得此互补金属氧化物半导体转导电路的转导值为电阻值的倒数。
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公开(公告)号：CN1096915A
公开(公告)日：1994-12-28
申请号：CN93114743.3
申请日：1993-11-29
申请人： 三星电子株式会社
发明人： J·R·哈福德
CPC分类号： H04N5/4446 , H03F3/19 , H03G1/0023 , H03G3/30 , H03G3/3068 , H04N5/455 , H04N5/52
摘要： 在电视接收装置中，第一中频放大器链包括第一增益控制放大器和在后面的第二增益控制放大器；第二中频放大器链包括第三增益控制放大器和在后面的一个第四增益控制放大器。第二和第四放大器以同样方式由AGC信号进行控制；第一和第三放大器以同样方式由延时相同量的AGC信号进行控制。射频放大器是由带有更大延时的AGC信号控制的增益控制放大器，对第一中频放大器输出响应进行下变频，以产生伴音中频。对第二中频放大器输出响应进行检波，以恢复视频信号。
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公开(公告)号：CN105247781B
公开(公告)日：2017-10-27
申请号：CN201580000797.8
申请日：2015-03-25
申请人： 华为技术有限公司
IPC分类号： H03F3/18
CPC分类号： H04B1/18 , H03H11/20 , H03H11/22 , H04L7/0079 , H04L7/033
摘要： 一种用于差分缓冲器相位校正的方法，包括：从本地振荡器生成差分信号对；通过差分线对，将一个所述信号施加到第一逆变器，将另一个所述信号施加到缓冲器的第二逆变器；通过第一反馈电容将第一正反馈信号施加到所述第一逆变器，其中，所述第一正反馈信号由所述第二逆变器的输出生成；通过第二反馈电容将第二正反馈信号施加到所述第二逆变器，其中，所述第二正反馈信号由所述第一逆变器的输出生成。
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公开(公告)号：CN1459924A
公开(公告)日：2003-12-03
申请号：CN02120450.0
申请日：2002-05-23
申请人： 财团法人工业技术研究院
发明人： 楼志宏
摘要： 本发明提出一互补金属氧化物半导体(CMOS)转导电路，用以同时提供高速与高线性度的特性，其包含一输出晶体管，此输出晶体管的源极用以接受电流源的输入，而输出晶体管的闸极用以接受另一电流源的输入，并且由输出晶体管的汲极输出电流；一电阻，是连接输出晶体管的源极；及一区域负反馈电路，是将输出晶体管的闸极负反馈连接至输出晶体管的源极，并使得此互补金属氧化物半导体转导电路的转导值为电阻值的倒数。
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公开(公告)号：CN106508091B
公开(公告)日：2011-06-01
申请号：CN200610056564.2
申请日：2006-08-11
申请人： 中国科学院电子学研究所
摘要： 本发明公开一种微型电场传感器的互补金属氧化物半导体可控增益前置放大方法及电路。方法是：在互补金属氧化物半导体上，利用工作在线性区的长沟道晶体管实现反馈电阻，通过调节偏置电流，实现增益的控制来扩大电流信号的输入动态范围，对电流电压转换后的两路差分信号放大。电路包括：电流转换单元、电压放大单元。利用本发明可将微型电场传感器的信号读出电路微型化，并与传感器封装在同一基片上，甚至实现单片集成，大幅度的降低整个传感器系统的体积，重量以及功耗，提高传感器系统的可靠性，本发明具有微型化、低功耗、低成本以及高性能、智能化的优势。
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公开(公告)号：CN1066592C
公开(公告)日：2001-05-30
申请号：CN97106048.7
申请日：1997-08-18
申请人： 秦鲁生
发明人： 秦鲁生
摘要： 一种基极电流偏置式准甲类电路，末级采用恒流偏置方式，基极电流偏置三极管Q1的基极接信号放大输出管Q3的基极，基极电流偏置三极管Q2的基极接信号放大输出管Q4的基极。Q1的集电极与Q2的集电极相联构成本发明的偏置电路。信号放大输出管Q3、Q4的发射极相联接，构成互补输出电路，激励偏置电流I1与I2分别从Q1、Q2的发射极输入，Q3、Q4的集电极分别接电源，Q3的发射极与Q4的发射极的接点为输出端。本发明线路简洁可靠，保真度高。
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