发明授权
CN1254844C 离子质量分离方法及装置、以及离子掺加装置
失效 - 权利终止
- 专利标题: 离子质量分离方法及装置、以及离子掺加装置
- 专利标题(英): Method and device for separating ion mass, and ion doping device
-
申请号: CN01808240.8申请日: 2001-12-27
-
公开(公告)号: CN1254844C公开(公告)日: 2006-05-03
- 发明人: 桑原一
- 申请人: 石川岛播磨重工业株式会社
- 申请人地址: 日本东京都
- 专利权人: 石川岛播磨重工业株式会社
- 当前专利权人: 石川岛播磨重工业株式会社
- 当前专利权人地址: 日本东京都
- 代理机构: 中国专利代理(香港)有限公司
- 代理商 温大鹏; 杨松龄
- 优先权: 401014/00 2000.12.28 JP
- 国际申请: PCT/JP2001/011556 2001.12.27
- 国际公布: WO2002/054441 JA 2002.07.11
- 进入国家日期: 2002-10-17
- 主分类号: H01J37/05
- IPC分类号: H01J37/05 ; H01J37/317 ; H01J49/30 ; H01L21/265
摘要:
一种离子质量分离方法,其利用空芯励磁电流路(21)而在离子偏转箱的内部在宽度方向形成均匀强度的磁场,该离子偏转箱具有扇形侧面形状以形成一弯曲的空间,并且在一端具有入口部,在另一端具有出口部,该空芯励磁电流路(21)是以导体形式设置在具有弯曲形状的离子偏转箱的外部,所述导体具有经过入口部以及出口部延伸并且沿所述离子偏转箱的弯曲形状外侧在宽度方向螺旋状卷绕的结构,将离子束通过入口部的导体(20c)之间的间隙而导入空芯励磁电流路的内部,由于空芯励磁电流路的磁场的作用而使离子束根据离子的质量而弯曲,把所希望质量的离子束通过出口部的导体(20d)之间的间隙而取出,由此能够均匀地离子质量分离大口径的离子束。还提供一种离子质量分离装置和离子掺加装置。
公开/授权文献
- CN1425186A 离子质量分离方法及装置、以及离子掺加装置 公开/授权日:2003-06-18