发明授权
- 专利标题： 具有低介电常数的多孔硅质膜和半导体装置及涂料组合物
- 专利标题（英）： Porous siliceous film having low permittivity,semiconductor devices and coating composition
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申请号： CN01814918.9申请日： 2001-08-28
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公开(公告)号： CN1261509C公开(公告)日： 2006-06-28
- 发明人: 青木伦子 , 清水泰雄
- 申请人： AZ电子材料(日本)株式会社
- 申请人地址： 日本国东京都(113-0021)文京区本驹込二丁目28番8号文京格林办公大楼
- 专利权人： AZ电子材料(日本)株式会社
- 当前专利权人： 默克专利有限公司
- 当前专利权人地址： 日本国东京都(113-0021)文京区本驹込二丁目28番8号文京格林办公大楼
- 代理机构： 北京三幸商标专利事务所
- 代理商 刘激扬
- 优先权： 259531/00 2000.08.29 JP
- 国际申请： PCT/JP2001/007380 2001.08.28
- 国际公布： WO2002/019410 JA 2002.03.07
- 进入国家日期： 2003-02-28
- 主分类号： C09D183/16
- IPC分类号： C09D183/16 ; C09D151/08 ; C09D153/00 ; C08L83/16 ; C08L33/06
摘要：
一种多孔硅质膜，该膜稳定地显示低介电常数且机械强度和各种耐化学品性能均优异，可以承受CMP和其它集成电路的最新制造工艺并因此适用于中间层介电膜。此膜可通过烧制组合物的涂层而形成膜特征为相对介电常数小于2.5，该组合物包括聚烷基硅氮烷和聚丙烯酸酯或聚甲基丙烯酸酯。
公开/授权文献
- CN1449576A 具有低介电常数的多孔硅质膜和半导体装置及涂料组合物 公开/授权日：2003-10-15
IPC分类:
