发明公开
CN1286805A 碳化硅半导体开关器件
无效 - 驳回
- 专利标题： 碳化硅半导体开关器件
- 专利标题（英）： Silicon carbide semiconductor switching device
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申请号： CN98813915.4申请日： 1998-03-19
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公开(公告)号： CN1286805A公开(公告)日： 2001-03-07
- 发明人: 大野俊之 , 岩崎贵之 , 八尾勉
- 申请人： 株式会社日立制作所
- 申请人地址： 日本东京都
- 专利权人： 株式会社日立制作所
- 当前专利权人： 株式会社日立制作所
- 当前专利权人地址： 日本东京都
- 代理机构： 中国专利代理(香港)有限公司
- 代理商 吴增勇; 叶恺东
- 国际申请： PCT/JP1998/01185 1998.03.19
- 国际公布： WO1999/48153 JA 1999.09.23
- 进入国家日期： 2000-09-18
- 主分类号： H01L29/04
- IPC分类号： H01L29/04 ; H01L29/78 ; H01L29/80
摘要：
本半导体开关器件包括具有第一导电类型的六角形对称碳化硅单晶和具有与第一导电类型相反的第二导电类型并位于碳化硅单晶内的半导体区域。在第一导电类型的碳化硅单晶和第二导电类型的半导体区域之间形成pn结。pn结果面包括从碳化硅单晶表面开始沿着深度方向延伸的界面,而延伸的界面包括与碳化硅单晶(1120)取向平行或大致与之平行的晶面。因此减小漏电流。