发明授权
CN1298020C 一种用于氮化镓外延生长的复合衬底
失效 - 权利终止
- 专利标题: 一种用于氮化镓外延生长的复合衬底
- 专利标题(英): Composite substrate for epitaxy growth of gallium nitride
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申请号: CN200410089448.1申请日: 2004-12-13
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公开(公告)号: CN1298020C公开(公告)日: 2007-01-31
- 发明人: 陆卫 , 夏长生 , 李志锋 , 李宁 , 张波 , 王少伟 , 陈平平 , 陈效双 , 陈明法
- 申请人: 中国科学院上海技术物理研究所 , 上海蓝宝光电材料有限公司
- 申请人地址: 上海市玉田路500号
- 专利权人: 中国科学院上海技术物理研究所,上海蓝宝光电材料有限公司
- 当前专利权人: 中国科学院上海技术物理研究所,上海蓝宝光电材料有限公司
- 当前专利权人地址: 上海市玉田路500号
- 代理机构: 上海新天专利代理有限公司
- 代理商 张泽纯
- 主分类号: H01L21/02
- IPC分类号: H01L21/02 ; H01L33/00 ; H01S5/00
摘要:
本发明提供一种用于氮化镓外延生长的复合衬底,该衬底由单晶硅片、二氧化硅层和单晶硅薄膜单元构成的阵列层组成。单晶硅薄膜单元为正方形,边长由光刻技术所能达到的最小线宽决定,厚度为2~100nm,单元间隔小于或等于所要生长GaN外延层的厚度。本发明的优点是结构简单,成本低廉,便于大规模生产,可以生长面积大、厚度大、位错密度非常低的GaN外延层,可用于制造发光亮度高、电学性质优良的GaN基半导体发光二极管、半导体激光器及其它光电子器件。
公开/授权文献
- CN1622285A 一种用于氮化镓外延生长的复合衬底 公开/授权日:2005-06-01