本发明属于接收机射频前端技术领域，涉及具有高对称性和线性度的下变频器。它由单端输入级、差分输出级及连接在其中的混频单元组成的双平衡下变频器结构；所说的差分输出级采用普通的开漏极输出结构，所说的单端输入级采用在片偏置的甲乙类单端输入结构，本发明通过引入在片偏置环路，极大地改善了该混频器的对称性和线性度。同时在片实现了输入阻抗匹配，并采用了开漏极输出。且在低电源电压和低电流消耗的条件下，达到了高转换增益、高线性度和低噪声系数等设计目标。