发明授权
- 专利标题： 半导体集成电路装置及其制造方法
- 专利标题（英）： Semiconductor integrated circuit device and method for manufacturing the same
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申请号： CN97102023.X申请日： 1997-01-10
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公开(公告)号： CN1307721C公开(公告)日： 2007-03-28
- 发明人: 成井诚司 , 宇田川哲 , 梶谷一彦 , 吉田诚
- 申请人： 尔必达存储器株式会社
- 申请人地址： 日本东京
- 专利权人： 尔必达存储器株式会社
- 当前专利权人： PS4拉斯口有限责任公司
- 当前专利权人地址： 日本东京
- 代理机构： 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
- 代理商 王以平
- 优先权： 003648/96 1996.01.12 JP
- 主分类号： H01L27/108
- IPC分类号： H01L27/108 ; H01L27/10 ; H01L21/8242 ; H01L21/822 ; H01L21/768
摘要：
DRAM的存储器单元选择MISFET Qt的栅电极(8A)(字线)的薄层电阻和位线(BL1、BL2)的薄层电阻分别等于或小于2Ω/□。在形成栅电极(8A)(字线)或位线(BL1、BL2)的步骤期间形成周边电路的互连，由此可减少制造DRAM的步骤的数目。
公开/授权文献
- CN1162845A 半导体集成电路装置及其制造方法 公开/授权日：1997-10-22
IPC分类:
