Invention Publication
CN1309816A 半绝缘碳化硅基底上基于氮化物的晶体管
失效 - 权利终止
- Patent Title: 半绝缘碳化硅基底上基于氮化物的晶体管
- Patent Title (English): Nitride based transistors on semi-insulating silicon carbide substrates
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Application No.: CN99808532.4Application Date: 1999-06-02
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Publication No.: CN1309816APublication Date: 2001-08-22
- Inventor: 斯科特·T·谢帕德 , 斯科特·T·阿伦 , 约翰·W·帕尔莫
- Applicant: 克里公司
- Applicant Address: 美国北卡罗莱纳
- Assignee: 克里公司
- Current Assignee: 克里公司
- Current Assignee Address: 美国北卡罗莱纳
- Agency: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
- Agent 王以平
- Priority: 09/096,967 1998.06.12 US
- International Application: PCT/US1999/12287 1999.06.02
- International Announcement: WO2000/04587 EN 2000.01.27
- Date entered country: 2001-01-11
- Main IPC: H01L29/778
- IPC: H01L29/778 ; H01L29/24
Abstract:
一种高电子迁移率晶体管(HEMT)(10)包括一个半绝缘碳化基底(11),在基底上是氮化铝缓冲层(12),在缓冲层上面是绝缘的氮化镓层(13),氮化镓层上是活性氮化铝镓结构(14),其上是钝化层(23),和至氮化铝镓结构的源、漏极和栅接点(21,22,23)。
Public/Granted literature
- CN100356578C 半绝缘碳化硅基底上基于氮化物的晶体管 Public/Granted day:2007-12-19
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IPC分类:
