公开(公告)号：CN1336010A

公开(公告)日：2002-02-13

申请号：CN99811468.5

申请日：1999-08-27

Applicant: 克里公司

Inventor： 劳里·A·里浦金 ,  约翰·W·帕尔莫

IPC: H01L29/51 ,  H01L21/28 ,  H01L29/24

CPC classification number: H01L29/7802 ,  H01L21/045 ,  H01L21/049 ,  H01L28/40 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/408 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/6606 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/78 ,  H01L29/8611 ,  H01L29/94 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 公开了一种用于碳化硅基半导体器件的电介质结构。在栅极器件中,该结构包括碳化硅层,位于碳化硅层上的二氧化硅层,位于二氧化硅层上的另一绝缘材料层,该绝缘材料具有的介电常数大于二氧化硅的介电常数,和与绝缘材料接触的栅极接触。在另一器件中,电介质结构形成增强的钝化层或者场绝缘体。

公开(公告)号：CN1309816A

公开(公告)日：2001-08-22

申请号：CN99808532.4

申请日：1999-06-02

Applicant: 克里公司

Inventor： 斯科特·T·谢帕德 ,  斯科特·T·阿伦 ,  约翰·W·帕尔莫

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/24

CPC classification number: H01L29/1608 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/267 ,  H01L29/452 ,  H01L29/7783 ,  H01L29/7787

Abstract: 一种高电子迁移率晶体管(HEMT)(10)包括一个半绝缘碳化基底(11),在基底上是氮化铝缓冲层(12),在缓冲层上面是绝缘的氮化镓层(13),氮化镓层上是活性氮化铝镓结构(14),其上是钝化层(23),和至氮化铝镓结构的源、漏极和栅接点(21,22,23)。

公开(公告)号：CN100356578C

公开(公告)日：2007-12-19

申请号：CN99808532.4

申请日：1999-06-02

Applicant: 克里公司

Inventor： 斯科特·T·谢帕德 ,  斯科特·T·阿伦 ,  约翰·W·帕尔莫

IPC: H01L29/778

CPC classification number: H01L29/1608 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/267 ,  H01L29/452 ,  H01L29/7783 ,  H01L29/7787

Abstract: 一种高电子迁移率晶体管(HEMT)(10)包括一个半绝缘碳化基底(11)，在基底上是氮化铝缓冲层(12)，在缓冲层上面是绝缘的氮化镓层(13)，氮化镓层上是活性氮化铝镓结构(14)，其上是钝化层(23)，和至氮化铝镓结构的源、漏极和栅接点(21，22，23)。

公开(公告)号：CN1213485C

公开(公告)日：2005-08-03

申请号：CN99811468.5

申请日：1999-08-27

Applicant: 克里公司

Inventor： 劳里·A·里浦金 ,  约翰·W·帕尔莫

IPC: H01L29/51 ,  H01L21/28 ,  H01L29/24

CPC classification number: H01L29/7802 ,  H01L21/045 ,  H01L21/049 ,  H01L28/40 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/408 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/6606 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/78 ,  H01L29/8611 ,  H01L29/94 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 公开了一种用于碳化硅基半导体器件的电介质结构。在栅极器件中，该结构包括碳化硅层，位于碳化硅层上的二氧化硅层，位于二氧化硅层上的另一绝缘材料层，该绝缘材料具有的介电常数大于二氧化硅的介电常数，和与绝缘材料接触的栅极接触。在另一器件中，电介质结构形成增强的钝化层或者场绝缘体。