利用原子层淀积形成薄膜的方法

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专利标题： 利用原子层淀积形成薄膜的方法
专利标题（英）： Method for forming film using atomic layer deposition
申请号： CN02107879.3

申请日： 2002-03-26
公开(公告)号： CN1312757C

公开(公告)日： 2007-04-25
发明人: 金营宽 , 朴泳旭 , 李承换
申请人： 三星电子株式会社
申请人地址： 韩国京畿道水原市
专利权人： 三星电子株式会社
当前专利权人： 三星电子株式会社
当前专利权人地址： 韩国京畿道水原市
代理机构： 中原信达知识产权代理有限责任公司
代理商 谢丽娜; 谷惠敏
优先权： 09/872,203 2001.05.31 US
主分类号： H01L21/8238
IPC分类号： H01L21/8238

摘要：

本发明提供一种利用原子层淀积(ALd)形成薄膜的方法。提供一种具有单反应空间的ALD反应器。可以在所述ALD反应器的单反应空间中同时装载一批衬底。然后，在单反应空间中引入含反应剂的气体，在单反应空间内，反应剂的一部分化学吸附到该批衬底的上表面上。然后，从单反应空间中排除未被化学吸附的反应剂。根据本发明的一个实施例，引入含反应剂气体后，在单反应空间内稀释未被化学吸附的反应剂，以便于排除未被化学吸附的反应剂。

公开/授权文献

CN1389910A 利用原子层淀积形成薄膜的方法公开/授权日：2003-01-08

信息查询

中国专利公布公告 Espacenet

IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00	专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70	.由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造（由预制电组件组成的组装件的制造入H05K3/00，H05K13/00）
H01L21/77	..在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理（电可编程只读存储器或其多步骤的制造方法入H01L27/115）
H01L21/78	...把衬底连续地分成多个独立的器件（改变表面物理特性或者半导体形状的切割入H01L21/304）
H01L21/82	....制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
H01L21/822	.....衬底是采用硅工艺的半导体的（H01L21/8258优先）
H01L21/8232	......场效应工艺
H01L21/8234	.......MIS工艺
H01L21/8238	........互补场效应晶体管，例如CMOS