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    通过使用三(二甲基氨基)硅烷的原子层沉积形成含硅薄膜的方法
    1.
    发明公开
    通过使用三(二甲基氨基)硅烷的原子层沉积形成含硅薄膜的方法 失效

    公开(公告)号：CN1392288A

    公开(公告)日：2003-01-22

    申请号：CN01139965.1

    申请日：2001-11-21

    申请人： 三星电子株式会社

    发明人： 金营宽 ,  朴泳旭 ,  李承换

    IPC分类号： C23C26/00

    CPC分类号： H01L21/3185 ,  C23C16/345 ,  C23C16/452 ,  C23C16/45534 ,  C23C16/45542 ,  C23C16/45553 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02222 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/316 ,  H01L21/31608

    摘要： 本发明提供一种形成含硅固体薄膜层的原子层沉积方法。将基底置入腔体，此后，将含Si和氨基硅烷的第一反应物注入腔体。该第一反应物的第一部分化学吸附于基底上，第一反应物的第二部分物理吸附于基底上。一个优选方案中，通过吹洗和冲洗腔体，将第一反应物的物理吸附的第二部分从基体上清除。然后将第二反应物注入腔体，这里第二反应物的第一部分与第一反应物的化学吸附的第一部分化学反应，在基底上形成含硅固体。然后从腔体中清除第二反应物的未化学反应部分。一个优选方案中，在基底上形成的含硅固体为薄膜层，如氮化硅层。另一个优选方案中，第一反应物至少为选自Si[N(CH3)2]4，SiH[N(CH3)2]3，SiH2[N(CH3)2]2和SiH3[N(CH3)2]中的一种。第二反应物优选为活性NH3。腔体的压强优选维持在0.01－100乇的范围内，且在优选实施方案中可在整个工艺中保持恒定，或可在四个步骤中的至少一个中改变。上述步骤中的一步或多步可重复进行，以在基底上获得较厚的固体。

    通过使用三(二甲基氨基)硅烷的原子层沉积形成含硅薄膜的方法
    2.
    发明授权
    通过使用三(二甲基氨基)硅烷的原子层沉积形成含硅薄膜的方法 失效

    公开(公告)号：CN1244716C

    公开(公告)日：2006-03-08

    申请号：CN01139965.1

    申请日：2001-11-21

    申请人： 三星电子株式会社

    发明人： 金营宽 ,  朴泳旭 ,  李承换

    IPC分类号： C23C26/00

    CPC分类号： H01L21/3185 ,  C23C16/345 ,  C23C16/452 ,  C23C16/45534 ,  C23C16/45542 ,  C23C16/45553 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02222 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/316 ,  H01L21/31608

    摘要： 本发明提供一种形成含硅固体薄膜层的原子层沉积方法。将基底置入腔体，此后，将含Si和氨基硅烷的第一反应物注入腔体。该第一反应物的第一部分化学吸附于基底上，第一反应物的第二部分物理吸附于基底上。一个优选方案中，通过吹洗和冲洗腔体，将第一反应物的物理吸附的第二部分从基体上清除。然后将第二反应物注入腔体，这里第二反应物的第一部分与第一反应物的化学吸附的第一部分化学反应，在基底上形成含硅固体。然后从腔体中清除第二反应物的未化学反应部分。一个优选方案中，在基底上形成的含硅固体为薄膜层，如氮化硅层。另一个优选方案中，第一反应物至少为选自Si[N(CH3)2]4，SiH[N(CH3)2]3，SiH2[N(CH3)2]2和SiH3[N(CH3)2]中的一种。第二反应物优选为活性NH3。腔体的压强优选维持在1.33-13300Pa(0.01-100乇)的范围内，且在优选实施方案中可在整个工艺中保持恒定，或可在四个步骤中的至少一个中改变。上述步骤中的一步或多步可重复进行，以在基底上获得较厚的固体。