发明公开
- 专利标题： TFT阵列基板及其制造方法以及使用它的液晶显示装置
- 专利标题（英）： TFT array substrate, method of manufacture thereof, and LCD with TFT array substrate
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申请号： CN00804193.8申请日： 2000-12-21
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公开(公告)号： CN1341231A公开(公告)日： 2002-03-20
- 发明人: 小川一文
- 申请人： 松下电器产业株式会社
- 申请人地址： 日本大阪府
- 专利权人： 松下电器产业株式会社
- 当前专利权人： 松下电器产业株式会社
- 当前专利权人地址： 日本大阪府
- 代理机构： 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
- 代理商 王以平
- 优先权： 11/372713 1999.12.28 JP
- 国际申请： PCT/JP2000/09122 2000.12.21
- 国际公布： WO2001/48547 JA 2001.07.05
- 进入国家日期： 2001-08-23
- 主分类号： G02F1/1368
- IPC分类号： G02F1/1368 ; G02F1/1335 ; G09F9/30 ; H01L29/786 ; H01L21/336
摘要：
提供可用两个或三个光掩模制作的TFT阵列基板结构。为此在具有象素电极(14’)和TFT(16)的TFT阵列基板中,上述TFT包含:在绝缘性基板(1)上堆积的硅半导体膜、在上述硅半导体膜的沟道区上形成的栅绝缘膜(4’)、在上述栅绝缘膜(4’)上形成的栅极(5’)、覆盖上述栅极(5’)的表面的栅极金属氧化膜(7)、作为上述栅极金属氧化膜(7)上面的互相分离的电极且覆盖上述栅极金属氧化膜(7)的至少源区侧的侧面和源区的源极(12)、以及以覆盖上述栅极金属氧化膜(7)的至少漏区侧的侧面和漏区的方式形成的漏极(13)。