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公开(公告)号：CN100479220C
公开(公告)日：2009-04-15
申请号：CN03803585.5
申请日：2003-02-07
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L51/00 , H01L29/786 , H01L21/28 , H01L29/45 , C08G61/12 , G02F1/1343
CPC classification number: G02F1/13439 , C08G61/122 , G02F1/1343 , G02F2001/136295 , G02F2202/022 , H01L51/0021 , H01L51/0035
Abstract: 本发明的有机电子器件包括衬底、至少两个在衬底上形成的电极、在衬底上形成的并且与电极电连接的导电有机薄膜，以及涂布所述电极的至少一部分的涂布薄膜。所述导电有机薄膜是包含可共轭键合基团的有机分子的聚合物，并且每个有机分子的一端化学键合到衬底的表面上，而有机分子中的可共轭键合基团与其它可共轭键合基团聚合，形成共轭键链。所述涂布薄膜将电极电连接到导电有机薄膜上，并且实现了比在电极和导电有机薄膜直接连接情况中更小的连接电阻。可以使用由选自金、铂和银的金属组成的薄膜、导电聚合物薄膜，或者化学键合到电极上的单分子薄膜作为所述涂布薄膜。
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公开(公告)号：CN100383644C
公开(公告)日：2008-04-23
申请号：CN200410104821.6
申请日：2000-07-05
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G02F1/1337 , C07F7/12
Abstract: 本发明提供可形成单分子层状薄膜的化学吸附物质(它是查尔酮骨架的苯环的4′位有COO基且COO基一侧的分子末端有-SiX3(X为卤素)基，并在其查尔酮骨架的苯环的4位与直链烃基成醚键而此烃基又与-SiX3(X为卤素)基团成醚键的化合物)，它在可见光区透明、稳定、并有在紫外区起光化学反应的感光基团。用此实现了取向热稳定性和限定力优异的液晶取向膜，用此液晶取向膜实现了低驱动电压下宽视角且图像鲜明的液晶显示装置。
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公开(公告)号：CN1225719C
公开(公告)日：2005-11-02
申请号：CN00812572.4
申请日：2000-09-08
Applicant: 松下电器产业株式会社
Inventor： 小川一文
IPC: G09F9/30 , G02F1/1345 , H01L29/78 , H01L21/268
CPC classification number: H01L27/124 , G02F1/1345 , G02F1/136286 , G02F1/1368 , G02F2001/136231 , H01L27/12 , H01L27/1288
Abstract: 在制造液晶显示板使用的TFT阵列基板中，提供降低掩模枚数、即简化制造步骤并降低制造成本的TFT阵列基板。在基板表面上，形成栅极布线金属膜、栅极绝缘膜和半导体膜，用光刻法以第1图像依次腐蚀接触电极金属膜、半导体膜、栅极绝缘膜和栅极布线金属膜，对栅极布线和成为栅电极部分的栅极布线金属膜图形的侧面进行氧化，形成透明导电性膜，用光刻法以第2图形依次腐蚀透明导电性膜、接触电极金属膜和半导体膜的一部分。
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公开(公告)号：CN1202919C
公开(公告)日：2005-05-25
申请号：CN98811262.0
申请日：1998-11-16
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: B05D7/24 , B05D1/18 , G02F1/1337 , G02B5/30
CPC classification number: B82Y30/00 , B05D1/185 , B82Y40/00 , C11D3/162 , C11D11/0047 , G02F1/133719
Abstract: 本发明目的在于，提供一种均一性、分子取向性皆优良、也能用作液晶取向膜的单分子层状的化学吸附膜的高效率制造方法。可以采用至少具有以下工序的化学吸附膜的制造方法来达到该目的：使含有硅烷系表面活性剂和非水系有机溶剂的吸附质溶液在干燥气氛中与基材表面接触，在基材表面上形成由吸附质溶液构成的溶液层的工序；一边使上述溶液层中含有的有机溶剂蒸发，一边进行化学吸附反应的浓缩加速反应工序；有机溶剂蒸发结束后，直到经过一定时间，继续进行化学反应的熟化反应工序；上述熟化反应工序之后，用非水系有机溶剂洗涤基板表面上残存的未吸附的表面活性剂的洗涤工序。
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公开(公告)号：CN1377037A
公开(公告)日：2002-10-30
申请号：CN02106601.9
申请日：2002-02-28
Applicant: 松下电器产业株式会社
Inventor： 小川一文
CPC classification number: G11B7/252 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , G11B7/244 , G11B7/245 , G11B7/25 , G11B7/2542 , G11B7/257 , G11B7/259 , Y10S428/913 , Y10T428/21 , Y10T428/31663
Abstract: 提供能够光记录的光记录膜及使用该光记录膜的光记录媒体,该光记录膜含有在基片(1)表面直接或者通过底涂层(2)固定的具有取向性的化学吸附薄膜(7)、及在上述化学吸附薄膜(7)的表面形成的覆膜(5、5’、5”),聚合性分子群在上述化学吸附薄膜的表面沿规定的方向排列,上述聚合性分子彼此聚合,从而上述覆膜进行初期分子取向,通过对上述覆膜(5”)选择性地照射使初期分子取向发生变化的光(6),上述覆膜形成初期分子取向发生变化的区域和覆膜的初期分子取向不发生变化的区域,可以进行光信息记录。也可以导入光分解的官能基。通过在化学吸附膜分子中导入利用光发生取向变化的官能基或者分解的官能基,能够进行光记录。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1373886A
公开(公告)日：2002-10-09
申请号：CN00812572.4
申请日：2000-09-08
Applicant: 松下电器产业株式会社
Inventor： 小川一文
IPC: G09F9/30 , G02F1/1345 , H01L29/78 , H01L21/768
CPC classification number: H01L27/124 , G02F1/1345 , G02F1/136286 , G02F1/1368 , G02F2001/136231 , H01L27/12 , H01L27/1288
Abstract: 在制造液晶显示板使用的TFT阵列基板中,提供降低掩模枚数、即简化制造步骤并降低制造成本的TFT阵列基板。在基板表面上,形成栅极布线金属膜、栅极绝缘膜和半导体膜,用光刻法以第1图像依次腐蚀接触电极金属膜、半导体膜、栅极绝缘膜和栅极布线金属膜,对栅极布线和成为栅电极部分的栅极布线金属膜图形的侧面进行氧化,形成透明导电性膜,用光刻法以第2图形依次腐蚀透明导电性膜、接触电极金属膜和半导体膜的一部分。
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公开(公告)号：CN1279460A
公开(公告)日：2001-01-10
申请号：CN00124153.2
申请日：2000-07-06
Applicant: 松下电器产业株式会社
Inventor： 小川一文
IPC: G09G3/36 , G02F1/1343
CPC classification number: G02F1/1333 , G02F2001/133302
Abstract: 本发明的目的在于以低成本提供—种耐冲击性高、实用上的安全性高、且在亮度与高色显示性、显示急定性方面优良的大型液晶显示装置。上述目的是通过下述方案实现的,该方案涉及这样的液晶显示装置,该装置采用在第1玻璃基板1的表面上形成多个薄膜晶体管的薄膜晶体管阵列基板10和在第2玻璃基板11的表面上形成多个滤色片与对置电极的滤色片基板20,在薄膜晶体管与对置电极按照对置的方式组合形成的单元内部经液晶取向膜注入液晶,正视侧的玻璃基板1的厚度大于相对侧的玻璃基板11的厚度。
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公开(公告)号：CN1200815A
公开(公告)日：1998-12-02
申请号：CN97191221.1
申请日：1997-07-07
Applicant: 松下电器产业株式会社
Inventor： 小川一文
IPC: G02F1/1337
CPC classification number: B82Y30/00 , G02F1/133719 , G02F1/133788 , G02F2001/133765 , Y10T428/1005 , Y10T428/1014
Abstract: 在已形成透明电极的玻璃基板1上,作为能量束感应性树脂(例如感光性树脂),涂布一种以酚醛清漆为主成分并配合有萘醌二叠氮化物类感光剂的正性抗蚀剂,将其干燥以形成一层0.1～0.2μm厚的感光性膜。然后通过掩膜用紫外线(365nm)曝光,从而在曝光区2′的抗蚀剂与空气中的水分反应并生成－COOH基。在此处,使H3(CH2)18SiCl3进行脱盐酸反应,形成了含有单分子膜碳链8的化学吸附单分子膜6,将其作为液晶定向膜。从而提供了一种能以高生成率制成一种不需要摩擦处理的,适用于液晶显示屏中均匀而且薄的定向膜的方法以及制造使用这种定向膜的显示屏的方法。
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公开(公告)号：CN1213327C
公开(公告)日：2005-08-03
申请号：CN99804157.2
申请日：1999-03-18
Applicant: 松下电器产业株式会社
Inventor： 小川一文
IPC: G02F1/1333 , G02F1/1337 , G02F1/13
CPC classification number: G02F1/1341 , G02F1/133377 , G02F1/13475 , G02F1/13725
Abstract: 在透光性的基板上形成像素电极、连接在像素电极上的开关元件，在上述基板上形成包含感光性预聚合物和液晶的混合体膜。从与上述基板相反的一侧，用第一波长的光对上述混合体膜进行曝光，使上述混合体膜中的感光性预聚合物聚合硬化，在上述混合体膜的表面上形成保护树脂膜。其次，从上述基板的内侧通过基板，用第三波长的光对混合体膜进行曝光，使感光性预聚合物聚合硬化，在基板一侧形成基板侧树脂膜。另外，通过保护树脂膜用第三波长的光对上述混合体膜的表面进行曝光，使混合体膜中剩余的感光性预聚合物聚合硬化，在保护树脂膜的内面侧形成第一树脂膜，由第一树脂膜和保护树脂膜构成相对树脂膜，将相分离后的液晶配置在第一树脂膜和基板侧树脂膜之间。因此，不需要花费时间长的液晶注入工序，就能形成液晶层，能谋求简化制造工序及降低制造成本。
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公开(公告)号：CN1538229A
公开(公告)日：2004-10-20
申请号：CN200410039973.2
申请日：1998-04-22
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H04N1/00129 , G02F1/135 , G02F1/1368 , G09G3/3648 , G09G2300/0408 , G09G2300/0434 , G09G2300/0809 , G09G2310/0235 , H04N1/00127 , H04N1/028 , H04N1/02805 , H04N1/486 , H04N2201/0081
Abstract: 连接在透明象素电极24上的n沟道的TFT(L)26、以及连接在光电二极管25的阴极侧的p沟道TFT(D)27都连接在共用的源连接线22及栅连接线23上，通过将正电压VL或负电压VD加在栅连接线23上，能分别单独地控制成导通状态。另外，设置在有源矩阵面板13的背面一侧的背照光18备有分别发出红、蓝或绿色的单色光的单色光源18a～18c，以分时方式显示各色图象。在读取图象时，依次使用各单色光源18a～18c，由此对各个单体象素读取红、蓝及绿色分量的图象。另外，通过只使与液晶层14上的纵横相隔一个象素P1对应的部分呈透光状态，同时使规定的电荷只蓄积在象素P1的光电二极管25中并进行曝光，由此读取象素P1的图象，对与象素P1相邻的象素分别重复进行同样的工作，由此对全部象素读取原稿图象。
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