发明公开
CN1347178A III－V氮化物半导体激光器件
失效 - 权利终止
- 专利标题： III－V氮化物半导体激光器件
- 专利标题（英）： III-V nitride semiconductor laser device
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申请号： CN01141826.5申请日： 2001-09-19
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公开(公告)号： CN1347178A公开(公告)日： 2002-05-01
- 发明人: 园部雅之 , 木村义则 , 渡边温
- 申请人： 罗姆股份有限公司 , 先锋株式会社
- 申请人地址： 日本京都
- 专利权人： 罗姆股份有限公司,先锋株式会社
- 当前专利权人： 罗姆股份有限公司,日本先锋公司
- 当前专利权人地址： 日本京都
- 代理机构： 永新专利商标代理有限公司
- 代理商 蹇炜
- 优先权： 283393/2000 2000.09.19 JP
- 主分类号： H01S5/323
- IPC分类号： H01S5/323
摘要：
一种III－V氮化物半导体激光器件,包括:n侧AlGaN包覆层;n侧波导层;激活层;p侧波导层;和p侧AlGaN包覆层,其中,p侧波导层的折射率比所述n侧波导层的折射率更大。这种III－V氮化物半导体激光器件具有优良的发射特性,而不会增加生产成本。
公开/授权文献
- CN1309128C III－V氮化物半导体激光器件 公开/授权日：2007-04-04
