发明公开
CN1368904A 在绝缘基板上形成薄金属层的方法
无效 - 撤回
- 专利标题： 在绝缘基板上形成薄金属层的方法
- 专利标题（英）： Method of forming thin metal layer on insulating substrate
-
申请号： CN00811496.X申请日： 2000-07-07
-
公开(公告)号： CN1368904A公开(公告)日： 2002-09-11
- 发明人: 理查德·W·卡彭特 , 小爱德华·J·里尔登
- 申请人： 希普雷公司
- 申请人地址： 美国马萨诸塞
- 专利权人： 希普雷公司
- 当前专利权人： 希普雷公司
- 当前专利权人地址： 美国马萨诸塞
- 代理机构： 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
- 代理商 郑修哲
- 优先权： 60/143,002 1999.07.09 US
- 国际申请： PCT/US2000/18605 2000.07.07
- 国际公布： WO2001/03856 EN 2001.01.18
- 进入国家日期： 2002-02-08
- 主分类号： B05D5/12
- IPC分类号： B05D5/12 ; B29C47/00 ; B32B3/00 ; B32B3/10 ; B32B3/12 ; B32B31/00 ; B41M3/12 ; B44C1/165
摘要：
本发明涉及在树脂基板(307)上形成非常薄的、均匀的金属层(306),例如在环氧基基板上形成铜涂层。该铜/树脂叠片(306、307)例如可用作制造印刷电路的坯件。
