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发明公开
CN1386081A 半导体材料的激光切割 失效 - 权利终止

  • 专利标题： 半导体材料的激光切割
  • 专利标题（英）： Laser cutting of semiconductor materials
  • 申请号： CN01802185.9
    申请日： 2001-05-14
  • 公开(公告)号： CN1386081A
    公开(公告)日： 2002-12-18
  • 发明人: B·P·皮茨克 , J·P·卡莱斯
  • 申请人： ASE美国公司
  • 申请人地址： 美国马萨诸塞州
  • 专利权人： ASE美国公司
  • 当前专利权人： ASE美国公司
  • 当前专利权人地址： 美国马萨诸塞州
  • 代理机构： 中国专利代理(香港)有限公司
  • 代理商 温大鹏; 黄力行
  • 优先权： 09/626708 2000.07.26 US
  • 国际申请： PCT/US2001/15566 2001.05.14
  • 国际公布： WO2002/07927 EN 2002.01.31
  • 进入国家日期： 2002-03-26
  • 主分类号： B23K26/12
  • IPC分类号： B23K26/12 ;  B23K26/38
半导体材料的激光切割
摘要：
一种切割薄的硅体以最小化其边缘损伤的方法,包括在真空中或在合成气体或惰性气体的环境中用脉冲激光束穿过所述的硅体。
摘要（英）：

A method of cutting thin bodies of silicon so as to minimize edge damage comprises traversing said bodies with the beam of a pulsed laser in a vacuum or in the presence of forming gas or a noble gas.

公开/授权文献
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