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发明公开
半导体材料的激光切割失效

公开(公告)号：CN1386081A

公开(公告)日：2002-12-18

申请号：CN01802185.9

申请日：2001-05-14

申请人： ASE美国公司

发明人： B·P·皮茨克 , J·P·卡莱斯

IPC分类号： B23K26/12 , B23K26/38

CPC分类号： B23K26/127 , B23K26/12 , B23K26/1224 , B23K26/123 , B23K26/125 , B23K26/40 , B23K2101/40 , B23K2103/50 , H01L21/02035 , H01L21/3065

摘要： 一种切割薄的硅体以最小化其边缘损伤的方法,包括在真空中或在合成气体或惰性气体的环境中用脉冲激光束穿过所述的硅体。