发明公开
CN1425196A 导电互连
无效 - 撤回
- 专利标题: 导电互连
- 专利标题(英): Conductive interconnections
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申请号: CN00818631.6申请日: 2000-11-14
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公开(公告)号: CN1425196A公开(公告)日: 2003-06-18
- 发明人: S·纳加诺 , H·哈加特尔 , J·李 , J·比勒
- 申请人: 霍尼韦尔国际公司
- 申请人地址: 美国新泽西州
- 专利权人: 霍尼韦尔国际公司
- 当前专利权人: 霍尼韦尔国际公司
- 当前专利权人地址: 美国新泽西州
- 代理机构: 中国专利代理(香港)有限公司
- 代理商 吴立明; 张志醒
- 优先权: 09/449,025 1999.11.24 US
- 国际申请: PCT/US2000/31310 2000.11.14
- 国际公布: WO2001/39250 EN 2001.05.31
- 进入国家日期: 2002-07-24
- 主分类号: H01L23/532
- IPC分类号: H01L23/532 ; C23C14/34 ; C22C9/00 ; C25D7/12
摘要:
一种物理气相淀积靶,包括铜和银的合金,该合金中银含量为小于1.0at%至0.001at%。在一个实现方式中,物理气相淀积靶包括铜和银的合金,该合金中银含量为50at%至70at%。一种物理气相淀积靶,包括铜和锡的合金,该合金中锡含量为小于1.0at%至0.001at%。在一个实现方式中,一种导电的集成电路金属合金互连包括铜和银的合金,该合金中银含量为小于1.0at%至0.001at%。一种导电的集成电路金属合金互连包括铜和银的合金,该合金中银含量为50at%至70at%。导电的集成电路金属合金互连包括铜和锡的合金,该合金中锡含量为小于1.0at%至0.01at%。其它可用的铜合金包括铜和一种或多种其它元素的合金,在该合金中该一种或多种其它元素的总浓度为小于1.0at%至0.001at%,并选自由Be、Ca、Sr、Ba、Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、Ti、Zr、Hf、Zn、Cd、B、Ga、In、C、Se、Te、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Mn、Tc、Re、Fe、Ru、Os、Co、Rh、Ni、Pd、Pt、Au、Tl和Pb组成的组。形成一种电镀阳极包括一种或多种上述合金。
IPC分类: