发明公开

导电互连
摘要:
一种物理气相淀积靶,包括铜和银的合金,该合金中银含量为小于1.0at%至0.001at%。在一个实现方式中,物理气相淀积靶包括铜和银的合金,该合金中银含量为50at%至70at%。一种物理气相淀积靶,包括铜和锡的合金,该合金中锡含量为小于1.0at%至0.001at%。在一个实现方式中,一种导电的集成电路金属合金互连包括铜和银的合金,该合金中银含量为小于1.0at%至0.001at%。一种导电的集成电路金属合金互连包括铜和银的合金,该合金中银含量为50at%至70at%。导电的集成电路金属合金互连包括铜和锡的合金,该合金中锡含量为小于1.0at%至0.01at%。其它可用的铜合金包括铜和一种或多种其它元素的合金,在该合金中该一种或多种其它元素的总浓度为小于1.0at%至0.001at%,并选自由Be、Ca、Sr、Ba、Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、Ti、Zr、Hf、Zn、Cd、B、Ga、In、C、Se、Te、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Mn、Tc、Re、Fe、Ru、Os、Co、Rh、Ni、Pd、Pt、Au、Tl和Pb组成的组。形成一种电镀阳极包括一种或多种上述合金。
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