公开(公告)号：CN105283954B

公开(公告)日：2018-12-18

申请号：CN201480024991.5

申请日：2014-04-22

申请人： 霍尼韦尔国际公司

发明人： J·李 ,  K·B·阿尔鲍夫

IPC分类号： H01L23/48

摘要： 一种电子封装装置，供电子封装装置里使用的引线框架结构，以及用于制造电子封装装置的方法。例如由铜制成的引线框架包括例如镍的金属阻挡层以防止引线框架的金属的氧化。例如铜的相对薄的润湿促进层被提供在金属阻挡层上以在通过其芯片连接至引线框架的管芯连接工艺期间促进诸如无铅、锌基焊料的焊料均匀润湿至引线框架上。铜/锌金属间层在焊料的流动和固化期间形成。在铜/锌金属间层的形成期间消耗铜层中基本上所有的铜，以及金属间层足够薄以在电子封装装置的制造和后续使用期间抵抗内部破裂故障。

公开(公告)号：CN1425196A

公开(公告)日：2003-06-18

申请号：CN00818631.6

申请日：2000-11-14

申请人： 霍尼韦尔国际公司

发明人： S·纳加诺 ,  H·哈加特尔 ,  J·李 ,  J·比勒

IPC分类号： H01L23/532 ,  C23C14/34 ,  C22C9/00 ,  C25D7/12

CPC分类号： C22C9/00 ,  C22C5/08 ,  C22C9/02 ,  C23C14/3414 ,  C25D7/12 ,  H01L23/53233 ,  H01L23/53238 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 一种物理气相淀积靶，包括铜和银的合金，该合金中银含量为小于1.0at％至0.001at％。在一个实现方式中，物理气相淀积靶包括铜和银的合金，该合金中银含量为50at％至70at％。一种物理气相淀积靶，包括铜和锡的合金，该合金中锡含量为小于1.0at％至0.001at％。在一个实现方式中，一种导电的集成电路金属合金互连包括铜和银的合金，该合金中银含量为小于1.0at％至0.001at％。一种导电的集成电路金属合金互连包括铜和银的合金，该合金中银含量为50at％至70at％。导电的集成电路金属合金互连包括铜和锡的合金，该合金中锡含量为小于1.0at％至0.01at％。其它可用的铜合金包括铜和一种或多种其它元素的合金，在该合金中该一种或多种其它元素的总浓度为小于1.0at％至0.001at％，并选自由Be、Ca、Sr、Ba、Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、Ti、Zr、Hf、Zn、Cd、B、Ga、In、C、Se、Te、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Mn、Tc、Re、Fe、Ru、Os、Co、Rh、Ni、Pd、Pt、Au、Tl和Pb组成的组。形成一种电镀阳极包括一种或多种上述合金。

公开(公告)号：CN103586596A

公开(公告)日：2014-02-19

申请号：CN201310356259.5

申请日：2013-08-15

申请人： 霍尼韦尔国际公司

发明人： J·李 ,  M·R·平特 ,  D·E·斯蒂尔

IPC分类号： B23K35/26

CPC分类号： B23K35/282

摘要： 一种焊料，可包含锌、铝、镁和镓。锌可以焊料的约82%-96重量%的量存在。铝可以焊料的约3%-15重量%的量存在。镁可以焊料的约0.5%-1.5重量%的量存在。镓可以焊料的约0.5%-1.5重量%的量存在。

公开(公告)号：CN1494602A

公开(公告)日：2004-05-05

申请号：CN01821540.8

申请日：2001-10-24

申请人： 霍尼韦尔国际公司

发明人： T·斯科特 ,  J·李

IPC分类号： C23C14/34 ,  H01J37/34

CPC分类号： C23C14/3407

摘要： 本发明包括一种用于形成物理气相淀积靶和支撑体的组件的方法。提供了一种物理气相淀积靶。该物理气相淀积靶具有小于10×10－6K－1的热膨胀系数。将该物理气相淀积靶连接到一支撑体上。该支撑体的热膨胀系数小于11×10－6K－1。本发明也包括一种包括物理气相淀积靶和连接到该物理气相淀积靶上的支撑体的组件。该支撑体包含碳纤维和铜。

公开(公告)号：CN1447864A

公开(公告)日：2003-10-08

申请号：CN01814249.4

申请日：2001-05-31

申请人： 霍尼韦尔国际公司

发明人： J·李 ,  S·图尔纳 ,  L·尧

IPC分类号： C23C14/34

CPC分类号： H01L21/76846 ,  C23C14/3414 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/76864 ,  H01L21/76879 ,  H01L23/53238 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明在此描述了涉及可被用来形成钛合金溅射靶的新型含钛材料。该钛合金溅射靶可以在含氮空气中进行反应溅射而形成一个TiN合金膜，或者在含氮及含氧的溅射空气中进行溅射，从而形成一个TiON合金膜。与用于薄膜Cu势垒层的TaN相比，根据本发明形成的薄膜可以具有无柱状晶粒结构、低电阻率、高化学稳定性及势垒层特性。另外，对半导体用途来说，根据本发明制造的钛合金溅射靶材料与高纯度钽材料相比有更高费效比并且具有适合高功率溅射用途的出色的机械强度。

公开(公告)号：CN1432070A

公开(公告)日：2003-07-23

申请号：CN01810327.8

申请日：2001-03-27

申请人： 霍尼韦尔国际公司

发明人： V·M·赛加尔 ,  J·李 ,  F·E·沃福德 ,  S·费尔拉斯

IPC分类号： C23C14/34 ,  C23C14/14 ,  C22C21/00

CPC分类号： C23C14/3414 ,  C22F1/04 ,  Y10S72/70

摘要： 本发明包括一种形成含铝物理气相沉积靶的方法。通过等通道角度挤压使含铝块变形。该块是至少99.99％的铝并且进一步含有小于或等于约1000ppm的一种或多种掺杂材料，该掺杂材料包括的元素选自Ac、Ag、As、B、Ba、Be、Bi、C、Ca、Cd、Ce、Co、Cr、Cu、Dy、Er、Eu、Fe、Ga、Gd、Ge、Hf、Ho、In、Ir、La、Lu、Mg、Mn、Mo、N、Nb、Nd、Ni、O、Os、P、Pb、Pd、Pm、Po、Pr、Pt、Pu、Ra、Rf、Rh、Ru、S、Sb、Sc、Se、Si、Sm、Sn、Sr、Ta、Tb、Te、Ti、Tl、Tm、V、W、Y、Yb、Zn和Zr。含铝块变形后，使该块成型为溅射靶的至少一部分。本发明也包括物理气相沉积靶，它基本上由铝并且和小于或等于约1000ppm的一种或多种掺杂材料组成，该掺杂材料包括的元素选自Ac、Ag、As、B、Ba、Be、Bi、C、Ca、Cd、Ce、Co、Cr、Cu、Dy、Er、Eu、Fe、Ga、Gd、Ge、Hf、Ho、In、Ir、La、Lu、Mg、Mn、Mo、N、Nb、Nd、Ni、O、Os、P、Pb、Pd、Pm、Po、Pr、Pt、Pu、Ra、Rf、Rh、Ru、S、Sb、Sc、Se、Si、Sm、Sn、Sr、Ta、Tb、Te、Ti、Tl、Tm、V、W、Y、Yb、Zn和Zr。另外，本发明包括薄膜。

公开(公告)号：CN105283954A

公开(公告)日：2016-01-27

申请号：CN201480024991.5

申请日：2014-04-22

申请人： 霍尼韦尔国际公司

发明人： J·李 ,  K·B·阿尔鲍夫

IPC分类号： H01L23/48

CPC分类号： H01L23/49575 ,  H01L21/4821 ,  H01L23/495 ,  H01L23/49513 ,  H01L23/49541 ,  H01L23/49582 ,  H01L24/29 ,  H01L24/30 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29116 ,  H01L2224/29118 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/32503 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83409 ,  H01L2224/83411 ,  H01L2224/83413 ,  H01L2224/83418 ,  H01L2224/83439 ,  H01L2224/83444 ,  H01L2224/83447 ,  H01L2224/83464 ,  H01L2224/83469 ,  H01L2224/83476 ,  H01L2224/8381 ,  H01L2224/83815 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/17747 ,  H01L2924/2064 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/3651 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00

摘要： 一种电子封装装置，供电子封装装置里使用的引线框架结构，以及用于制造电子封装装置的方法。例如由铜制成的引线框架包括例如镍的金属阻挡层以防止引线框架的金属的氧化。例如铜的相对薄的润湿促进层被提供在金属阻挡层上以在通过其芯片连接至引线框架的管芯连接工艺期间促进诸如无铅、锌基焊料的焊料均匀润湿至引线框架上。铜/锌金属间层在焊料的流动和固化期间形成。在铜/锌金属间层的形成期间消耗铜层中基本上所有的铜，以及金属间层足够薄以在电子封装装置的制造和后续使用期间抵抗内部破裂故障。

公开(公告)号：CN104169041A

公开(公告)日：2014-11-26

申请号：CN201280039969.9

申请日：2012-08-17

申请人： 霍尼韦尔国际公司

发明人： J·李 ,  M·R·平特 ,  D·E·斯蒂尔

IPC分类号： B23K35/28

CPC分类号： B23K35/282 ,  B23K35/025 ,  C22C1/02 ,  C22C18/04 ,  Y10T428/12

摘要： 一种焊料，可包含锌、铝、镁和镓。锌可以焊料的约82%-96重量%的量存在。铝可以焊料的约3%-15重量%的量存在。镁可以焊料的约0.5%-1.5重量%的量存在。镓可以焊料的约0.5%-1.5重量%的量存在。

公开(公告)号：CN1547623A

公开(公告)日：2004-11-17

申请号：CN01817595.3

申请日：2001-08-17

申请人： 霍尼韦尔国际公司

发明人： V·莫汉 ,  J·李 ,  T·A·斯科特

IPC分类号： C23C14/34 ,  B22D19/14

CPC分类号： B22F3/1035 ,  B22D19/14 ,  B22F2998/10 ,  C22C28/00 ,  C23C14/3414 ,  Y10T428/12028 ,  Y10T428/21 ,  B22F1/0003 ,  B22F1/02

摘要： 一种方法，包括结合固体第一材料和固体第二材料并熔化第一材料的至少一部分至足以覆盖第二材料和任何剩余第一材料。可形成遍及该液相的第一材料的近似均匀分布的第二材料。第一材料液相接着可被固化以确定呈现为固化的第一材料基质中的近似均匀分布的固体第二材料的复合靶坯。第一材料可包括Se且第二材料可包括Ge和/或Ag。复合靶坯可包括至少约50vol％基质。第一和第二材料可以是粉状金属。因此，物理汽相淀积靶可包括第一材料基质和遍及第一材料基质的近似均匀分布的第二材料颗粒。第二材料可包括呈现不大于约325目大小的粉末。

公开(公告)号：CN205159664U

公开(公告)日：2016-04-13

申请号：CN201520125919.3

申请日：2015-01-22

申请人： 霍尼韦尔国际公司

发明人： P·刘 ,  J·李 ,  J·胡

IPC分类号： H01R13/639

摘要： 本实用新型涉及由电子设备和插头组成的组件。电子设备和插头组件包括插头连接器和带有用来容纳插头连接器的电端口的设备外壳。电端口具有限定在底壁上的插口，并且插头连接器具有能够容纳在插口内用来在设备和插头连接器之间提供电连接的柱。两个侧壁部分从电端口的底壁向上延伸。当插头主体的柱容纳在电端口的插口中时，插头主体的第一侧表面与第一侧壁部分是面对关系，并且插头主体的第二侧表面与第二侧壁部分是面对关系，由此限制或防止插头主体关于柱的轴线相对于设备外壳旋转。