本发明涉及一种在制造诸如大规模集成电路(LSI)和超大规模集成电路(VLSI)的半导体装置时所采用的去除光刻胶的光刻胶去除剂混合物。本发明包含：含量为2～20％(质含量)的水溶性羟胺；含量为5～15％(质含量)的含有2或3个羟基的肟化合物；以及含量为30～55％(质含量)的烷基胺。本发明涉及的光刻胶去除剂混合物能够容易并且快速的去除烘烤、干蚀刻和灰化过程产生的光刻胶层以及在这些过程中，由于蚀刻和灰化气与光刻胶进行反应，在底层金属膜上产生的侧壁光刻胶聚合体。特别是，光刻胶去除剂混合物具有良好的从铝层、铝合金层和氮化钛层上去除侧壁光刻胶聚合体的性能。此外，在去除光刻胶的过程中，光刻胶去除剂混合物能降低对底层金属膜的腐蚀，特别是，降低在64MDRAM和更多－VLSL生产线中采用的新金属层的腐蚀。