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公开(公告)号：CN1220115C
公开(公告)日：2005-09-21
申请号：CN01808573.3
申请日：2001-04-25
申请人： 东进瑟弥侃株式会社
IPC分类号： G03F7/42
CPC分类号： G03F7/425
摘要： 本发明涉及光刻胶剥离剂组合物，它在诸如大规模集成电路(LSI)和超大规模集成电路(VLSI)等半导体器件的制造工艺中用于剥离光刻胶。光刻胶剥离剂组合物包含3-10wt%的有机胺化合物，30-60wt%选自DMAc、DMF、DMI、NMP等的溶剂，30-60wt%的水，1-10wt%儿茶酚，间苯二酚，或者它们的混合物，以及1-10wt%的C4-6的直链的多元醇。
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公开(公告)号：CN1454334A
公开(公告)日：2003-11-05
申请号：CN00819669.9
申请日：2000-06-26
申请人： 东进瑟弥侃株式会社
摘要： 本发明提供一种包括如下物质的光刻胶去除剂组合物：0.1－0.3wt％氟化铵，25－45wt％水，4－15wt％含有2或3个羟基的有机酚基化合物，和40－70wt％烷基酰胺，该组合物用于在半导体如大规模集成件、超大规模集成件等的制造工艺中除去光刻胶。根据本发明的光刻胶去除剂组合物可容易而快速地去除由硬烘、干蚀和灰化工艺固化的光刻胶膜，和在光刻胶与上述工艺中的刻蚀和灰化气体反应之后从下部金属衬底形成的侧壁抗蚀剂聚合物，并可用于除去来自下部金属衬底，特别是铝、铝合金等的侧壁抗蚀剂聚合物。此外，根据本发明的光刻胶去除剂组合物可最小化在光刻胶去除工艺中的下部金属衬底腐蚀和最小化光刻胶去除工艺中抗下部金属衬底的腐蚀，特别有益于最小化抗新下部金属衬底的腐蚀，该新下部金属衬底应用于生产非常大规模集成半导体，超过64兆DRAM类别的生产线。
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公开(公告)号：CN1434931A
公开(公告)日：2003-08-06
申请号：CN01810235.2
申请日：2001-06-07
申请人： 东进瑟弥侃株式会社
IPC分类号： G03F7/42
CPC分类号： G03F7/425
摘要： 本发明涉及一种在制造诸如大规模集成电路(LSI)和超大规模集成电路(VLSI)的半导体装置时所采用的去除光刻胶的光刻胶去除剂混合物。本发明包含：含量为2～20％(质含量)的水溶性羟胺；含量为5～15％(质含量)的含有2或3个羟基的肟化合物；以及含量为30～55％(质含量)的烷基胺。本发明涉及的光刻胶去除剂混合物能够容易并且快速的去除烘烤、干蚀刻和灰化过程产生的光刻胶层以及在这些过程中，由于蚀刻和灰化气与光刻胶进行反应，在底层金属膜上产生的侧壁光刻胶聚合体。特别是，光刻胶去除剂混合物具有良好的从铝层、铝合金层和氮化钛层上去除侧壁光刻胶聚合体的性能。此外，在去除光刻胶的过程中，光刻胶去除剂混合物能降低对底层金属膜的腐蚀，特别是，降低在64MDRAM和更多－VLSL生产线中采用的新金属层的腐蚀。
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公开(公告)号：CN1217236C
公开(公告)日：2005-08-31
申请号：CN00819669.9
申请日：2000-06-26
申请人： 东进瑟弥侃株式会社
摘要： 本发明提供一种包括如下物质的光刻胶去除剂组合物：0.1～＜0.2wt%氟化铵，25～45wt%水，4～15wt%含有2或3个羟基的有机酚基化合物，和40～70wt%N，N’-二甲基乙酰胺，该组合物用于在半导体如大规模集成件、超大规模集成件等的制造工艺中除去光刻胶。根据本发明的光刻胶去除剂组合物可容易而快速地去除由硬烘、干蚀和灰化工艺固化的光刻胶膜，和在光刻胶与上述工艺中的刻蚀和灰化气体反应之后从下部金属衬底形成的侧壁抗蚀剂聚合物，并可用于除去来自下部金属衬底，特别是铝、铝合金等的侧壁抗蚀剂聚合物。此外，根据本发明的光刻胶去除剂组合物可最小化在光刻胶去除工艺中的下部金属衬底腐蚀和最小化光刻胶去除工艺中下部金属衬底的腐蚀，特别有益于最小化新下部金属衬底的腐蚀，该新下部金属衬底应用于生产非常大规模集成半导体，超过64兆DRAM类别的生产线。
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公开(公告)号：CN1203378C
公开(公告)日：2005-05-25
申请号：CN01810235.2
申请日：2001-06-07
申请人： 东进瑟弥侃株式会社
IPC分类号： G03F7/42
CPC分类号： G03F7/425
摘要： 本发明涉及一种在制造诸如大规模集成电路(LSI)和超大规模集成电路(VLSI)的半导体装置时所采用的去除光刻胶的光刻胶去除剂混合物。本发明包含：含量为2～20重量%的水溶性羟胺；含量为5～15重量%的含有2或3个羟基的肟化合物；以及含量为30～55重量%的烷基胺。本发明涉及的光刻胶去除剂去混合物能够容易并且快速的去除烘烤、干蚀刻和灰化过程产生的光刻胶层以及在这些过程中，由于蚀刻和灰化气与光刻胶进行反应，在底层金属膜上产生的侧壁光刻胶聚合体。特别是，光刻胶去除剂混合物具有良好的从铝层、铝合金层和氮化钛层上去除侧壁光刻胶聚合体的性能。
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公开(公告)号：CN1426544A
公开(公告)日：2003-06-25
申请号：CN01808573.3
申请日：2001-04-25
申请人： 东进瑟弥侃株式会社
IPC分类号： G03F7/42
CPC分类号： G03F7/425
摘要： 本发明涉及光刻胶剥离剂组合物，它在诸如大规模集成电路(LSI)和超大规模集成电路(VLSI)等半导体器件的制造工艺中用于剥离光刻胶。光刻胶剥离剂组合物包含3－10wt％的有机胺化合物，30－60wt％选自DMAc、DMF、DMI、NMP等的溶剂，30－60wt％的水，1－10wt％儿茶酚，间苯二酚，或者它们的混合物，以及1－10wt％的C4－6的直链的多元醇。
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