发明公开
- 专利标题： 半导体元件及其制造方法，和半导体器件及其制造方法
- 专利标题（英）： Semiconductor element and producing method thereof, and semiconductor device and producing method thereof
-
申请号： CN03104240.6申请日： 2003-02-08
-
公开(公告)号： CN1437256A公开(公告)日： 2003-08-20
- 发明人: 西山知宏 , 田子雅基
- 申请人： 日本电气株式会社
- 申请人地址： 日本东京都
- 专利权人： 日本电气株式会社
- 当前专利权人： 知识产权之桥一号有限责任公司
- 当前专利权人地址： 日本东京都
- 代理机构： 中科专利商标代理有限责任公司
- 代理商 朱进桂
- 优先权： 2002－030334 2002.02.07 JP
- 主分类号： H01L23/48
- IPC分类号： H01L23/48 ; H01L23/52 ; H01L21/28 ; H01L21/768 ; H01L21/60
摘要：
用能使组件成形的电解镀敷法，将由铜等形成的柱状块，经过晶片上的接合膜和粘接膜，形成在布线薄膜上。例如金的防氧化膜在柱状块的上表面或一部分上表面和侧表面形成。例如氧化膜这样的防沾湿膜，按需要形成在柱状块上。如果这个块焊接至布线基板上的焊盘，焊料将沾湿于柱状块上表面整个区域，和侧表面的部分区域。因此能形成稳定而可靠的连接。另外，由于柱状块不熔化，半导体线路板和组装线路板之间的距离不因焊料而变窄。
公开/授权文献
- CN100511658C 半导体元件及其制造方法，和半导体器件及其制造方法 公开/授权日：2009-07-08
IPC分类:
