发明公开
- 专利标题: 硅高速腐蚀方法
- 专利标题(英): High speed silicon etching method
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申请号: CN01815651.7申请日: 2001-09-13
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公开(公告)号: CN1459125A公开(公告)日: 2003-11-26
- 发明人: 三村高范 , 永关一也 , 酒井伊都子 , 大岩德久
- 申请人: 东京毅力科创株式会社 , 株式会社东芝
- 申请人地址: 日本东京都
- 专利权人: 东京毅力科创株式会社,株式会社东芝
- 当前专利权人: 东京毅力科创株式会社,东芝存储器株式会社
- 当前专利权人地址: 日本东京都
- 代理机构: 永新专利商标代理有限公司
- 代理商 黄剑锋
- 优先权: 280376/2000 2000.09.14 JP
- 国际申请: PCT/JP2001/07962 2001.09.13
- 国际公布: WO2002/23609 JA 2002.03.21
- 进入国家日期: 2003-03-14
- 主分类号: H01L21/3065
- IPC分类号: H01L21/3065
摘要:
本发明提供一种硅高速腐蚀方法,与可保持真空的处理室内的处理空间接触,来设置具有硅区域的被处理对象W,在该处理空间内导入腐蚀气体,产生气压为13~1333Pa(100mTorr~10Torr)的气体环境,通过施加高频电力产生等离子。在该等离子中,离子等带电粒子的个数与基团的个数之和变大,使硅区域的腐蚀比以前高速化。
公开/授权文献
- CN1284213C 硅高速腐蚀方法 公开/授权日:2006-11-08