发明公开
CN1464980A 半导体试验装置的校准方法
失效 - 权利终止
- 专利标题： 半导体试验装置的校准方法
- 专利标题（英）： Method for calibrating semiconductor test instrument
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申请号： CN02802588.1申请日： 2002-06-06
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公开(公告)号： CN1464980A公开(公告)日： 2003-12-31
- 发明人: 谢羽彻
- 申请人： 株式会社艾德温特斯特
- 申请人地址： 日本东京都
- 专利权人： 株式会社艾德温特斯特
- 当前专利权人： 株式会社艾德温特斯特
- 当前专利权人地址： 日本东京都
- 代理机构： 中国专利代理(香港)有限公司
- 代理商 刘宗杰; 梁永
- 优先权： 172210/2001 2001.06.07 JP; 30576/2002 2002.02.07 JP; 75316/2002 2002.03.19 JP
- 国际申请： PCT/JP2002/05604 2002.06.06
- 国际公布： WO2002/101404 JA 2002.12.19
- 进入国家日期： 2003-04-04
- 主分类号： G01R31/319
- IPC分类号： G01R31/319
摘要：
本发明的目的在于提供一种能降低成本、简化作业内容、缩短作业时间的半导体试验装置的校准方法。在多个驱动器的每一个与多个比较器的每一个以1对1的方式相对应的状态下，在对于彼此以1对1的方式相对应的时钟信号和选通信号来说以某一方为基准调整了另一方的相位后，取得时钟信号相互间的相对的相位差或选通信号相互间的相对的相位差，根据该相对的相位差来调整多个时钟信号和多个选通信号的相位。
公开/授权文献
- CN1251080C 半导体试验装置的校准方法 公开/授权日：2006-04-12
IPC分类:
