半导体器件

Invention Publication

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Patent Title: 半导体器件
Patent Title (English): Semiconductor device
Application No.: CN03106345.4

Application Date: 2003-02-25
Publication No.: CN1477718A

Publication Date: 2004-02-25
Inventor: 相原一洋
Applicant: 三菱电机株式会社
Applicant Address: 日本东京都
Assignee: 三菱电机株式会社
Current Assignee: 三菱电机株式会社
Current Assignee Address: 日本东京都
Agency: 中国专利代理(香港)有限公司
Agent 刘宗杰; 叶恺东
Priority: 240537/2002 2002.08.21 JP
Main IPC: H01L29/78
IPC: H01L29/78 ; H01L27/108

Abstract:

在SiGe结晶膜衬底上形成具有作为沟道区功能的Si结晶膜。还有，在Si结晶膜上形成具有作为沟道区功能的SiGe结晶膜。还有，在SiGe结晶膜及Si结晶膜的两侧形成具有作为源/漏区功能的Si结晶膜。还有，在SiGe结晶膜上，通过栅绝缘膜形成栅电极。按照上述结构，SiGe结晶膜抑制了Si结晶膜的自然氧化。其结果是，得到消除因Si结晶膜表面的自然氧化引起的在Si结晶膜中的导电性降低而产生的问题的半导体器件。

Public/Granted literature

CN1293644C 半导体器件 Public/Granted day:2007-01-03

Information query

Chinese Patent Announcement Espacenet

IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L29/00	专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件（H01L31/00至H01L47/00，H01L51/05优先；除半导体或其电极之外的零部件入H01L23/00；由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L27/00）
H01L29/66	.按半导体器件的类型区分的
H01L29/68	..只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的（H01L29/96优先）
H01L29/76	...单极器件
H01L29/772	....场效应晶体管
H01L29/78	.....由绝缘栅产生场效应的