发明公开
- 专利标题： 半导体存储器件及其制造方法
- 专利标题（英）： Semiconductor memory device and method for manufacturing semiconductor device
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申请号： CN03156082.2申请日： 2003-08-29
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公开(公告)号： CN1485891A公开(公告)日： 2004-03-31
- 发明人: 南晴宏之 , 中村学 , 世良贤太郎 , 东雅彦 , 宇津野五大 , 高木英雄 , 锻治田达也
- 申请人： 富士通AMD半导体有限公司
- 申请人地址： 日本福岛县
- 专利权人： 富士通AMD半导体有限公司
- 当前专利权人： 斯潘生公司
- 当前专利权人地址： 日本福岛县
- 代理机构： 北京三友知识产权代理有限公司
- 代理商 李辉
- 优先权： 256195/2002 2002.08.30 JP
- 主分类号： H01L21/314
- IPC分类号： H01L21/314 ; H01L21/8239 ; H01L27/105
摘要：
在硅区域上形成下层二氧化硅膜之后，通过，例如，热CVD方法而在下层二氧化硅膜上形成硅膜。然后，通过等离子氮化方法对硅膜进行完全氮化，从而置换为氮化硅膜。然后，通过等离子氧化方法对氮化硅膜的表面层进行氧化，从而置换为上层二氧化硅膜。从而形成由下层二氧化硅膜、氮化硅膜和上层二氧化硅膜构成的多层绝缘膜的ONO膜。
IPC分类:
