公开(公告)号：CN1485891A

公开(公告)日：2004-03-31

申请号：CN03156082.2

申请日：2003-08-29

申请人： 富士通AMD半导体有限公司

发明人： 南晴宏之 ,  中村学 ,  世良贤太郎 ,  东雅彦 ,  宇津野五大 ,  高木英雄 ,  锻治田达也

IPC分类号： H01L21/314 ,  H01L21/8239 ,  H01L27/105

CPC分类号： H01L27/11568 ,  H01L21/3145 ,  H01L27/105 ,  H01L27/11526 ,  H01L27/11546 ,  Y10S438/954

摘要： 在硅区域上形成下层二氧化硅膜之后，通过，例如，热CVD方法而在下层二氧化硅膜上形成硅膜。然后，通过等离子氮化方法对硅膜进行完全氮化，从而置换为氮化硅膜。然后，通过等离子氧化方法对氮化硅膜的表面层进行氧化，从而置换为上层二氧化硅膜。从而形成由下层二氧化硅膜、氮化硅膜和上层二氧化硅膜构成的多层绝缘膜的ONO膜。