发明公开
CN1500288A 形成绝缘体上的应变硅(SSOI)的方法及其形成的结构
失效 - 权利终止
- 专利标题： 形成绝缘体上的应变硅(SSOI)的方法及其形成的结构
- 专利标题（英）： Method of forming strained silicon on insulator (SSDI) and structures formed thereby
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申请号： CN02807649.4申请日： 2002-03-21
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公开(公告)号： CN1500288A公开(公告)日： 2004-05-26
- 发明人: K·里姆
- 申请人： 国际商业机器公司
- 申请人地址： 美国纽约
- 专利权人： 国际商业机器公司
- 当前专利权人： 国际商业机器公司
- 当前专利权人地址： 美国纽约
- 代理机构： 北京市中咨律师事务所
- 代理商 于静; 李峥
- 优先权： 09/823,855 2001.03.31 US
- 国际申请： PCT/US2002/008795 2002.03.21
- 国际公布： WO2002/080241 EN 2002.10.10
- 进入国家日期： 2003-09-29
- 主分类号： H01L21/20
- IPC分类号： H01L21/20
摘要：
本发明提供一种SOI(绝缘体上硅)结构与其制造方法，其中应变硅层(12)直接位于绝缘体层(14)上。该方法需要在应变诱发层(22)上形成硅层(12)，其中应变诱发层(22)具有与硅不相同的晶格常数，使得由于与应变诱发层(22)之晶格失配而硅层(12)会有应变。由此形成的多层结构(18)接合到基底(24)上，使得绝缘层(14)在应变硅层(12)与基底(24)之间，而且使得应变硅层(12)直接接触到绝缘层(14)。然后去除掉应变诱发层(22)，而产生应变的SOI之结构(10)，该结构包括直接位于绝缘层(14)上的应变硅层(12)，其中硅层(12)内的应变由SOI结构(10)保持。
公开/授权文献
- CN1254849C 形成绝缘体上的应变硅(SSOI)的方法及其形成的结构 公开/授权日：2006-05-03